關于征集“后摩爾時代新器件基礎研究”計劃的通知
面向我國產業發展的戰略需求，針對后摩爾時代芯片發展中最本質的算力瓶頸問題，國家自然科學基金委員會2019年啟動了“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃，旨在通過新材料、新原理、新結構、新器件和新架構的創新研究，突破芯片算力瓶頸，提升我國芯片研究水平。 為進一步做好“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃的項目立項和資助工作，經本重大研究計劃指導專家組和管理工作組會議討論決定，面向科技界征集2022年度項目指南建議。 一、科學目標 本重大研究計劃面向未來芯片算力問題，聚焦芯片領域發展前沿，擬通過信息、數理、工程材料、生命等多學科的交叉融合，在超低能耗信息處理新機理、載流子近似彈道輸運新機理、具有高遷移率與高態密度的新材料、高密度集成新方法以及非馮計算新架構等方面取得突破，研制出1fJ以下開關能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS載流子輸運速度極限的高性能器件，實現算力提升2個數量級以上的非馮?諾伊曼架構芯片，發展變革型基......閱讀全文
“向上生長”的芯片，突破摩爾定律限制
隨著芯片制造商不斷縮小其產品的尺寸，他們正面臨將大量計算能力塞進一塊芯片的極限。一款打破紀錄的芯片巧妙地避開了這個問題，這可能會促使電子設備的制造更加可持續。自20世紀60年代以來，要讓電子產品性能更強，關鍵在于將其基本構建單元晶體管做得更小，并更密集地集成在芯片上。這一趨勢被著名的摩爾定律所概括，
芯粒：后摩爾時代下降發揮怎樣的作用
前言：芯粒逐漸成為半導體業界的熱詞之一，它被認為是一種可以延緩摩爾定律失效、放緩工藝進程時間、支撐半導體產業繼續發展的有效方案。摩爾定律的演變即便不是IT從業人士，想必也會聽說過著名的“摩爾定律”：1965年，英特爾創始人戈登·摩爾提出，在至多十年內，集成電路的集成度會每兩年翻一番，后來這個
專家縱論后摩爾時代集成電路發展路線
11月30日，由教育部、上海市人民政府支持，教育部學校規劃建設發展中心主辦，上海大學微電子學院、上海大學中瑞先進技術研究院承辦的2022國際產學研用合作會議——集成電路下的超越摩爾技術分會場研討會舉行。 上海大學黨委書記成旦紅表示，上海大學將加強科教、產教融合，培養緊缺人才上發力，在產學研用國際
什么是摩爾消光系數、摩爾吸光系數、摩爾吸收系數？
分光光度法是基于不同分子結構的物質對電磁輻射的選擇性吸收而建立起來的方法，屬于分子吸收光譜分析。當光通過溶液時，被測物質分子吸收某一波長的單色光，被吸收的光強度與光通過的距離成正比。雖然現在了解到Bouguer早在1729年已提出上述關系的數學表達式，但通常認為Lambert于1760年最早發現表達
俄烏沖突后，芯片遭殃？
吸引全球關注的俄烏戰事仍在持續。當地時間25日，聯合國安理會就關于立即停止俄羅斯在烏克蘭攻勢一事進行投票，由于俄羅斯否決，該決議未能通過。美國、歐盟同時對俄羅斯發起制裁。在全球缺芯問題仍未解決的當下，烏克蘭和俄羅斯之間的沖突或許會加劇供應問題。氖氣和氪氣等稀有氣體是半導體光刻環節中必需的材料，鈀則可
后摩爾時代新器件重大研究計劃項目指南發布
關于發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃2023年度項目指南的通告國科金發計〔2023〕8號國家自然科學基金委員會現發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃2023年度項目指南，請申請人及依托單位按項目指南中所述的要求和注意事項申請。國家自然科學基金委員會2023年2月10日后摩爾時代新器件基礎
英特爾繼續推進摩爾定律：芯片背面供電，突破互連瓶頸
隨著背面供電技術的完善和新型2D通道材料的采用，英特爾正致力于繼續推進摩爾定律，在2030年前實現在單個封裝內集成1萬億個晶體管。 包括PowerVia背面供電技術、用于先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct技術預計將在2030年前投產。 12月9日，英特爾在IEDM 2023（2
摩爾燃燒焓除以摩爾質量是什么
標準摩爾燃燒焓是指在標準壓力100kPa和指定溫度（一般為298.15K）時下，一摩爾物質完全燃燒時的反應焓變，簡稱燃燒焓。用符號ΔcHΘm表示，下標c代表燃燒（combustion），燃燒焓的單位是kJ·mol-1。[1]注意：一摩爾物質必須是一摩爾可燃物。完全燃燒是指物質中各元素均為氧化為穩定高
什么是摩爾消光系數、摩爾吸光系數
分光光度法是基于不同分子結構的物質對電磁輻射的選擇性吸收而建立起來的方法，屬于分子吸收光譜分析。當光通過溶液時，被測物質分子吸收某一波長的單色光，被吸收的光強度與光通過的距離成正比。雖然現在了解到Bouguer早在1729年已提出上述關系的數學表達式，但通常認為Lambert于1760年最早發現表達
鄧中翰委員：后摩爾時代要加快集成電路產業破題
集成電路產業是電子信息產業的核心，是支撐國家經濟社會發展的戰略性、基礎性、先導性產業，也是我國當前需要重點突破的領域。而后摩爾時代如何占領技術制高點，搶占機遇實現逆勢突圍，是業界十分關注的問題。 在今年的兩會上，全國政協委員、中國工程院院士鄧中翰在提案中建議，聚焦后摩爾時代，我們要發揮新型舉國體
鄧中翰委員：后摩爾時代要加快集成電路產業破題
集成電路產業是電子信息產業的核心，是支撐國家經濟社會發展的戰略性、基礎性、先導性產業，也是我國當前需要重點突破的領域。而后摩爾時代如何占領技術制高點，搶占機遇實現逆勢突圍，是業界十分關注的問題。 在今年的兩會上，全國政協委員、中國工程院院士鄧中翰在提案中建議，聚焦后摩爾時代，我們要發揮新型舉國
標準摩爾生成焓計算標準摩爾反應焓
?=?(產物生成焓)-?（反應物生成焓）?(T)=標準摩爾燃燒焓計算標準摩爾反應焓?(T)=?(反應物燃燒焓)-?（產物燃燒焓）=?標準摩爾生成焓與標準摩爾燃燒焓?=
關于征集“后摩爾時代新器件基礎研究”計劃的通知
面向我國產業發展的戰略需求，針對后摩爾時代芯片發展中最本質的算力瓶頸問題，國家自然科學基金委員會2019年啟動了“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃，旨在通過新材料、新原理、新結構、新器件和新架構的創新研究，突破芯片算力瓶頸，提升我國芯片研究水平。 為進一步做好“后摩爾時代新器件基礎研究”
智能芯片損壞后可瞬間自行修復
據物理學家組織網近日報道，美國加州理工學院的工程師團隊首次開發出一種可自愈的集成芯片，可在微秒之間，對智能手機和電腦中從電池到總晶體管等故障自行修復。相關研究成果刊登在最新一期《IEEE微波理論與技術》期刊上。 加州理工學院工程和應用科學部高速集成電路實驗室的研究團隊，在小功率放大器里證明
智能芯片損壞后可瞬間自行修復
據物理學家組織網近日報道，美國加州理工學院的工程師團隊首次開發出一種可自愈的集成芯片，可在微秒之間，對智能手機和電腦中從電池到總晶體管等故障自行修復。相關研究成果刊登在最新一期《IEEE微波理論與技術》期刊上。 加州理工學院工程和應用科學部高速集成電路實驗室的研究團隊，在小功率放大器里證明
關于征集“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃通知
為進一步做好“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃的項目立項和資助工作，經本重大研究計劃指導專家組和管理工作組會議討論決定，面向科技界征集2021年度項目指南建議。 一、相關背景 “后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃2019年度獲立項資助，執行期8年，圍繞“CMOS器件能耗邊界及突破機
摩爾去世，影響世界的摩爾定律還活著嗎？
英特爾公司聯合創始人戈登·摩爾3月24日去世，享年94歲。作為半導體行業的先驅，他提出的“摩爾定律”預言了芯片行業日新月異的發展進程。 現在人們熟知的“摩爾定律”是指：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目每隔18-24個月增加一倍，性能也將提升一倍。事實上，摩爾并沒有說過“每18個月翻一
香山科學會議－專家稱“后摩爾時代”高端硅基材料是關鍵
近日，香山科學會議第626次學術討論會在上海舉行，會議聚焦了高端硅基材料及器件關鍵技術問題。與會專家認為，硅基材料及器件的創新將決定未來集成電路及相關信息技術的發展。 著名的“摩爾定律”提出，集成電路上可容納的元器件的數目，每隔約18至24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。當前，在摩爾定律引
什么是摩爾吸光系數？
摩爾吸光系數（Molar Absorption Coefficient），也稱摩爾消光系數（Molar Extinction Coefficient），是指物質對某波長的光的吸收能力的量度，以符號“ε”表示。
摩爾燃燒焓的概念
標準摩爾生成焓是在標準狀態即壓力為100kPa，一定溫度（一般是298.15K）下時，由元素最穩定的單質生成生成1mol純化合物時的反應熱稱為該化合物的標準摩爾生成焓。標準摩爾燃燒焓是指一摩爾物質在標準狀況下完全燃燒時的反應焓變，用符號ΔcHm表示，其中下標“c”表示燃燒（combustion），其
基金委發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃項目指南
關于發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃2024年度項目指南的通告國科金發計〔2024〕137號國家自然科學基金委員會現發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃2024年度項目指南，請申請人及依托單位按項目指南所述要求和注意事項申請。國家自然科學基金委員會2024年5月21日后摩爾時代新器件基礎
摩爾吸光系數的實際應用
當吸光物質的濃度為1mol/L，吸收池厚為1cm，以一定波長的光通過時，所引起的吸光度值A。ε值取決于入射光的波長和吸光物質的吸光特性，亦受溶劑和溫度的影響。在實際應用中，ε可作為定性鑒定的參數，也可用以估量定量方法的靈敏度。ε值越大，表示該有色物質對該波長光的吸收能力越強，顯色反應越靈敏，反映了用
摩爾吸光系數的影響因素
摩爾吸光系數的大小與待測物、溶劑的性質及光的波長有關。待測物不同，則摩爾吸光系數也不同，所以，摩爾吸光系數可作為物質的特征常數。溶劑不同時，同一物質的摩爾吸光系數也不同，因此，在說明摩爾吸光系數時，應注明溶劑。光的波長不同，其吸光系數也不同。單色光的純度越高，摩爾吸光系數越大。
摩爾吸光系數的概念表述
摩爾吸光系數（Molar Absorption Coefficient），也稱摩爾消光系數（Molar Extinction Coefficient），是指濃度為1摩爾/升時的吸光系數，ε表示，當濃度用克/升表示時，摩爾吸光系數在數值上等于吸光系數（a）與物質的分子量（M）之積，ε=aM。ε值的大小
蛋白的摩爾數怎么算
質量（g）/分子量（Da）=摩爾數 （mol）, 1Da= 1g/mol 摩爾濃度（mol/L）= 摩爾數（mol）/ 溶液體積 （L） 質量=摩爾數 X 分子量 = 摩爾濃度 X 體積 X 分子量 = 1 x 10^-3 (mol/L) X 66 X 10^ 3 (g/mol) X 體積
英特爾創始人、“摩爾定律”提出者戈登·摩爾去世
當地時間2023年3月24日，英特爾和戈登和貝蒂·摩爾基金會宣布，英特爾公司聯合創始人、摩爾定律提出者戈登·摩爾（Gordon Moore）去世，享年94歲。 貝蒂·摩爾基金報告稱，Moore于2023年3月24日星期五在夏威夷的家中被家人包圍，平靜地去世。 基金會主席Harvey Fine
摩爾定律：50歲依然年輕
1965年4月19日，36歲的戈登·摩爾在《電子雜志》中預言：集成電路中的晶體管數量大約每年就會增加一倍。十年過后，摩爾根據實際情況對預言進行了修正，把“每年增加一倍”改為“每兩年增加一倍”。半導體行業的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術進步的速度，更在接下來的半個實際中，猶如一
滲透壓摩爾濃度的測定
通常采用測量溶液的冰點下降來間接測定其滲透壓摩爾濃度。在理想的稀溶液中，冰點下降符合△Tf=kf·m的關系，式中，△Tf為冰點下降，Kf為冰點下降常數(當水為溶劑時為1.86)，m為重量摩爾濃度。而滲透壓符合Po=ko?m的關系，式中，Po為滲透壓，ko滲透壓常數，m為溶液的重量摩爾濃度。由于兩
常見物質的標準摩爾生成焓
常見物質的標準摩爾生成焓物質(298.15K) kj/molAg(s)0Br(g)111.884Br(l)0C(金剛石)1.896CO(g)- 110.525(g)-393.511CaO(s)-635.6(s)-986.5(g)-241.825(l)-285.838(g)0(g)0(g)-74.84
后摩爾時代新器件基礎研究－重大研究計劃2024年度項目評審會在京召開
國家自然科學基金“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃2024年度項目評審會在京召開。 2024年10月14日，國家自然科學基金委員會（以下簡稱自然科學基金委）信息科學部在北京召開“后摩爾時代新器件基礎研究”重大研究計劃2024年度項目評審會議。自然科學基金委黨組成員、副主任陸建華院士出席會