三星宣布3納米工藝落地生產競爭力幾何？
半導體先進工藝競賽繼續，臺積電、三星競逐3納米。6月30日，三星電子（KRX：005930）宣布，公司3納米工藝芯片已經開始初步生產。 三星在聲明中稱，其3納米工藝將首先應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器。不過，三星沒有透露其3納米工藝的首批客戶，亦未公布其生產的芯片種類和數量。 據三星聲明，與三星5納米工藝相比，其第一代3納米工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星還稱，未來第二代3納米工藝可以使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。 在芯片行業，納米數越低，通常意味著工藝越先進，越有可能設計出性能更高的產品。臺積電與三星是目前先進工藝競賽的主要參與者。英特爾也正在奮力追趕，但與臺積電、三星仍有一定距離。 此次三星趕在臺積電3納米量產前夕，宣布實現3納米工藝初步生產。按照臺積電此前公布的時間表，臺積電3納米（N3）工藝將在2022年下半年實現量產......閱讀全文
韓國三星首次研發5納米半導體工藝
韓國《中央日報》發布消息稱，三星電子已成功研發出5納米(nm)半導體工藝，并于4月中正式量產首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問題，三星電子與各企業間的技術較量也日趨激烈。 三星電子宣布成功開發的5納米精密工藝采用了比現有的ArF更優越的EUV技術。與ArF工
三星宣布3納米工藝落地生產－競爭力幾何？
半導體先進工藝競賽繼續，臺積電、三星競逐3納米。6月30日，三星電子（KRX：005930）宣布，公司3納米工藝芯片已經開始初步生產。 三星在聲明中稱，其3納米工藝將首先應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器。不過，三星沒有透露其3納米工藝的首批客戶，亦未公布其生產的
三星開發半導體石墨烯新工藝
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。” 石墨烯具
《自然—納米技術》：新工藝開發出“耐熱”納米顆粒
瑞士科學家最近利用一種新方法，成功制造出了硼硅酸鹽玻璃納米顆粒，由于耐熱，這些粒子在微流系統中更加穩定。相關論文9月7日在線發表于《自然—納米技術》(Nature Nanotechnology)。 由于較大的表面積-體積比(surface-to-volume ratio)，納米粒子引起了科學家的廣
三星電子公布人工智能半導體技術路線圖
三星電子日前在美國硅谷舉行“2024年三星代工論壇”，表示2027年將引入尖端晶圓代工技術，推出兩種新工藝節點，形成包括人工智能半導體研發、代工生產、組裝在內的全流程解決方案。 三星電子表示，目前正通過封裝晶圓代工非內存半導體和高帶寬內存的集成解決方案，研發高性能、低能耗的人工智能半導體產品，
納米砂磨機應用：磷酸鐵鋰工藝
磷酸鐵鋰是一種新型鋰離子電池電極材料。 其應用領域主要有： 1、儲能設備 太陽能、風力發電系統之儲能設備，不斷電系統UPS，配合太陽能電池使用作為儲能設備； 2、電動工具類 高功率電動工具（無線），電鉆、除草機等； 3、電動車輛 電動機車，電動自行車，休閑車，高爾夫球車， 電動推
三星電子與成均館大學共同開發半導體石墨烯新工藝
三星電子近日宣布，三星先進技術研究所(SAIT)與韓國成均館大學合作開發出一種新合成方法，可大面積制備應用于半導體的晶圓級單晶石墨烯。應用該方法制備的半導體單晶，具有優異的電性能和機械性能。該研究負責人說，“我們預計這一發現將加速石墨烯的商業化，并可能開創消費電子技術的新時代。” 石墨烯具
離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋
記者29日從中國電子科技集團獲悉，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（以下簡稱電科裝備）已實現離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋，有力保障我國集成電路制造行業在成熟制程領域的產業安全。 據悉，離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備，28納米則是當前芯片應用領域中覆蓋面最廣的成熟制程。 電科裝備連
非晶納米晶鐵芯生產工藝及流程
常用型：環型：帶材入廠檢測——卷繞成鐵芯——點焊——物理磁性能檢測——護盒或絕緣紙或噴涂——包裝出廠C型：帶材入廠檢測——卷繞成鐵芯——工裝整型——熱處理——退工裝——浸膠——切割——檢測——護盒或絕緣紙或噴涂——包裝出廠
上海納米級等離子工藝研討會預告
上海納米級等離子工藝研討會預告 2012年3月19日 本次研討會將于Semicon2012開幕的前一天召開，我們在此誠意邀請工業界、學術界對微納米及發光二極管等離子技術的發展趨勢及設備制造與應用感興趣的同行先進參加。 牛津儀器的外方應用專家及國內知名機構的用戶將出席并發言。 本
IBM宣布用最新工藝制造5納米芯片
IBM日前在日本京都宣布，該公司研究團隊在晶體管的制造上取得了巨大的突破——在一個指甲大小的芯片上，從集成200億個7納米晶體管飛躍到了300億個5納米晶體管。據美國電氣和電子工程師協會（IEEE）《光譜》雜志6日報道，這一出色表現有望挽救瀕臨極限的摩爾定律，使電子元件繼續朝著更小、更經濟的方向
石墨烯納米帶生產新工藝開發成功
據法國國家科學研究院11月19日消息，一支由美國佐治亞理工學院、法國國家科學研究中心、法國 SOLEIL同步輻射光源、法國洛林大學讓·拉穆爾研究所和格勒諾布爾尼爾研究所的科研人員組成的團隊，歷經8年的合作研究，成功開發出生產石墨烯納米帶的新技術。石墨烯獨特的物理特性令其成為電子設備的理想材料
半導體的3D時代（三）
Logic對于3D NAND“節點”，可以輕松地根據物理層數進行定義，對于DRAM節點一般采用有源區的半節距，而邏輯節點幾乎是公司營銷人員稱之為多少就是多少。由于FinFET是3D結構，因此某些人認為當前的FinFET前沿工藝是3D，但在本次討論中，我們認為3D是指器件堆疊，即允許堆疊多個有源層以創
原子級工藝實現納米級圖形結構的要求（二）
原子層刻蝕有助于減少這些隨機缺陷的影響。因為它在自限性步驟中逐層進行，而且因為工藝步驟將化學活性物質與高能離子相分離，因此原子層刻蝕不會產生傳統的刻蝕工藝中出現的粗糙的鑲邊層。更重要的是，原子層刻蝕與原子層沉積的重復循環，能夠降低EUV中隨機缺陷引起的粗糙度。凹凸表面比平面具有較高的表面體積比，這就
中芯國際推出自主研發38納米NAND閃存工藝
9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
原子級工藝實現納米級圖形結構的要求（一）
原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士分享了他對這個話題的看法。圖 1． 原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子
14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND三大尖端...
14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND三大尖端產品的影響近期筆者在清洗業務研討會上發表了演講。我不是一名清洗工藝專家，在演講中介紹更多的是制造工藝的發展趨勢及其對清洗的影響。我將在這篇文章中分享并進一步討論那次演講的內容，主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產品。DRAM
三星突破石墨烯合成技術
一個由三星電子支持的研究小組稱他們在石墨烯方面取得了重大進展，可以大規模地合成石墨烯晶體，這將加速石墨烯的商業化進程。 石墨烯是是由碳原子按一定軌道組成的六角型類蜂巢晶格的平面薄膜，它是目前世界上最薄卻也是最堅硬的納米材料，只有一個碳原子厚度，并且有著優異的導電和導熱等性能。但是這種特殊材
中國再次實現一箭三星
——中國再次實現一箭三星，長征二號丁運載火箭將遙感三十六號衛星發射升空 IT之家7月27日消息，今天 4 時 02 分，我國在西昌衛星發射中心使用長征二號丁運載火箭，采取一箭三星方式，成功將三顆遙感三十六號衛星發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務獲得圓滿成功。 本次發射是長征二號丁運載火
16日可見三星伴月
據廣東天文學會預告，今年10月13日，將發生地球的姐妹——土星和金星近距離會聚的特殊天象。如果天氣晴朗，中國、美國、西班牙、利比亞乃至北半球大部分地區，10月13日和14日連續兩天，在日出前的東方，都可觀賞到金星與土星雙雙巧聚在室女座。屆時，金星光芒美麗可愛，像一顆璀璨的東方明珠，放射著迷人的光
納米石英粉生產工藝,物理法和化學法納米硅區別,白色納米二氧化硅廠家
納米石英粉生產工藝,物理法和化學法納米硅區別,白色納米二氧化硅廠家一、納米石英粉生產工藝步驟；納米石英粉是使用99.99%高純度石英進行粉碎研磨制成，步驟為：原礦→清洗→磁選→破碎→粉碎→磁選→研磨→水磁選→分級→磁選→烘干→成品此工藝確保原礦中鐵含量低，填充不變色不發陰。二、物理法和化學法納米硅粉
2019－IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分別發表了若干篇論文，其中包括一篇合作的Nanosheet論文。我有機會采訪到與IBM高級邏輯與內存技術總監卜惠明和IBM高級工程師Veeraraghavan Basker，之后又分別采訪了Leti advanced CMOS實驗室負責人Francois Andr
高性能納米磷酸鐵鋰綠色大規模制備工藝突破
近日，中國科學院金屬研究所研究員王曉輝課題組與南京航空航天大學教授朱孔軍合作，采用微波水熱合成法在純水的合成環境中高效制備出納米磷酸鐵鋰（LiFePO4），其具有優異的電化學性能。相關結果近日發表在《綠色化學》上。 科研人員在深入理解LiFePO4形核生長機制的基礎上，通過減小形核窗口時間來增
納米砂磨機之磁性材料分類與生產工藝
磁性材料生產過程中，需要研磨分散攪拌工藝，需要使用納米砂磨機及其成套工藝設備。 那么我們來認識一下什么是磁性材料。 磁性是物質的一種基本屬性。 能對磁場作出某種方式反應的材料稱為磁性材料。 按照物質在外磁場中表現出來磁性的強弱，可將其分為抗磁性物質、順磁性物質、鐵磁性物質、反鐵磁性物質和
半導體大消息！美國放開對華市場，網友：不買不買！
剛剛，半導體傳來一則大消息。 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設備，無需其它許可。意味著，在無需單獨批準的情況下，三星電子、SK海力士可以向中國工廠供應含美國技術的半導體設備。值得一提的是，全球最大和第二大存儲芯片制造商，三星電子、SK海力士在
臺積電優勢不再！－全球首個2nm芯片制造技術發布
藍色巨人終于開始發力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工藝上取得重大突破，聲稱已打造出全球首個2nm芯片制造技術，為半導體研發再創新的里程碑。 IBM在新聞稿中稱，在運行速度方面，與當前許多筆記本電腦和手機中使用的主流7nm芯片相比，IBM的這顆2nm芯片計算速度要快45%，
如何利用參考設計解決TypeC開發過程中的疑難雜癥？2
“多年以后我們寫半導體發展史的話，28納米節點一定是濃墨重彩的一筆，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI論壇上，復旦微電子總工程師沈磊如是說。的確，28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流，14/16納米都已量產，10納米工藝也
除了低功耗與低成本－FDSOI還有什么優勢？（一）
“多年以后我們寫半導體發展史的話，28納米節點一定是濃墨重彩的一筆，它背后有很多的故事。”在2016 FD-SOI論壇上，復旦微電子總工程師沈磊如是說。的確，28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流，14/16納米都已量產，10納米工藝也
“22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設”項目通過驗收
12月13日至14日，國家科技重大專項02專項實施管理辦公室組織專家對“22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設”項目進行了現場驗收。該項目由國家科技重大專項02專項集成電路先導工藝研發中心承擔，成員包括中國科學院微電子研究所、中國科學院上海微系統與信息技術研究所、清華大學、北京大學、復旦大學等單