晶體面缺陷的定義
由于晶體表面處的離子或原子具有不飽和鍵，有很大反應活性，表面結構出現不對稱性，使點陣受到很大彎曲變形，因而能量比內部能量高，是一種缺陷。......閱讀全文
晶體面缺陷的定義
由于晶體表面處的離子或原子具有不飽和鍵，有很大反應活性，表面結構出現不對稱性，使點陣受到很大彎曲變形，因而能量比內部能量高，是一種缺陷。
晶體面缺陷的形成原因分析
（1）小角度晶界（鑲嵌塊）尺寸在10-6-10-8m的小晶塊，彼此間以幾秒到的微小（ ）角度傾斜相交，形成鑲嵌結構，有人認為是棱位錯，由于晶粒以微小角度相交，可以認為合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位錯。（2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角較大，在多晶體中，晶體可能出現大角度晶界。在這種
基因缺陷的定義
中文名稱基因缺陷英文名稱gene defect定 ?義由于某種原因(如核苷酸的缺失或突變)導致基因不能行使正常功能的現象。應用學科生物化學與分子生物學(一級學科),基因表達與調控(二級學科)
免疫缺陷病的定義
免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一組由于免疫系統發育不全或遭受損害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。
非晶半導體的定義
非晶半導體又稱無定形半導體或玻璃半導體，非晶態固體中具有半導電性的一類材料。具有亞穩態結構，組成原子的排列是短程有序、長程無序，鍵合力未發生變化，只是鍵長和鍵角略有不同。按鍵合力性質有共價鍵半導體，包括四面體的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“鏈狀”的S、Se、Te、As2Se3
繼發性免疫缺陷的定義
中文名稱繼發性免疫缺陷英文名稱secondary immunodeficiency定 義指并非由于免疫系統T淋巴細胞、B淋巴細胞內源性缺失或衰竭所致的暫時或永久性的細胞功能性免疫缺陷。應用學科免疫學（一級學科），概論（二級學科），免疫學相關名詞（三級學科）
原發性免疫缺陷的定義
中文名稱原發性免疫缺陷英文名稱primary immunodeficiency定 義并非由感染、淋巴系統惡性腫瘤或藥物等引起的繼發性免疫缺陷，即由內因引起的免疫缺陷。應用學科免疫學（一級學科），概論（二級學科），免疫學相關名詞（三級學科）
液晶、晶相和液相的定義
液晶------處于液晶態的一種物質；晶相------長程周期性位置/平移有序相；液相------沒有長程周期或取向有序的相；
免疫缺陷病的定義及類型
定義 免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一組由于免疫系統發育不全或遭受損害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。 類型 有二種類型： ①原發性免疫缺陷病，又稱先天性免疫缺陷病，與遺傳有關，多發生在嬰幼兒。 ②繼發性免疫缺陷病，又稱獲得性免疫缺陷病，可發生在
免疫缺陷病的定義及類型
定義 免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一組由于免疫系統發育不全或遭受損害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。 類型 有二種類型： ①原發性免疫缺陷病，又稱先天性免疫缺陷病，與遺傳有關，多發生在嬰幼兒。 ②繼發性免疫缺陷病，又稱獲得性免疫缺陷病，可發生在
關于人類免疫缺陷病毒的定義介紹
人類免疫缺陷病毒又稱艾滋病病毒，是造成人類免疫系統缺陷的一種逆轉錄病毒。這一病毒會攻擊并逐漸破壞人類的免疫系統，致使宿主在被感染時得不到保護。感染人類免疫缺陷病毒并且去世的人，往往死于繼發感染或者癌癥。而艾滋病是人類免疫缺陷病毒感染的最后階段 。
晶體線缺陷的定義和形成原因
實際晶體在結晶時，受到雜質，溫度變化或振動產生的應力作用或晶體由于受到打擊，切割等機械應力作用，使晶體內部質點排列變形，原子行列間相互滑移，不再符合理想晶體的有序排列，形成線狀缺陷。位錯直觀定義：晶體中已滑移面與未滑移面的邊界線。這種線缺陷又稱位錯，注意：位錯不是一條幾何線，而是一個有一定寬度的管道
后天繼發性免疫缺陷病的定義和分類
繼發性免疫缺陷病是指發生在其他疾病基礎上(如慢性感染)、放射線照射、免疫抑制劑長期地使用及營養障礙所引起的免疫系統暫時或持久的損害，所導致的免疫功能低下。繼發性免疫缺陷病可以是細胞免疫缺陷，也可以是體液免疫缺陷，或兩者同時發生。根據發病的原因不同可將繼發性免疫缺陷分為兩大類：繼發于某些疾病的免疫缺陷
粗晶，準晶，液晶，非晶，納米晶的結構，特點
晶粒是另外一個概念，搞材料的人對這個最熟了。首先提出這個概念的是凝固理論。從液態轉變為固態的過程首先要成核，然后生長，這個過程叫晶粒的成核長大。晶粒內分子、原子都是有規則地排列的，所以一個晶粒就是單晶。多個晶粒，每個晶粒的大小和形狀不同,而且取向也是凌亂的,沒有明顯的外形,也不表現各向異性,是多晶。
華中科大發表光學晶圓缺陷檢測領域系統綜述
受SCIE期刊《極端制造》極端制造編輯部邀請，華中科技大學教授劉世元團隊近日在該刊上發表了《10nm及以下技術節點晶圓缺陷光學檢測》的綜述文章，對過去十年中與光學晶圓缺陷檢測技術有關的新興研究內容進行了全面回顧。 隨著智能終端、無線通信與網絡基礎設施、智能駕駛、云計算、
華中科大發表光學晶圓缺陷檢測領域系統綜述
受SCIE期刊《極端制造》極端制造編輯部邀請，華中科技大學教授劉世元團隊近日在該刊上發表了《10nm及以下技術節點晶圓缺陷光學檢測》的綜述文章，對過去十年中與光學晶圓缺陷檢測技術有關的新興研究內容進行了全面回顧。 隨著智能終端、無線通信與網絡基礎設施、智能駕駛、云計算、
華中科大發表光學晶圓缺陷檢測領域系統綜述
受SCIE期刊《極端制造》極端制造編輯部邀請，華中科技大學教授劉世元團隊近日在該刊上發表了《10nm及以下技術節點晶圓缺陷光學檢測》的綜述文章，對過去十年中與光學晶圓缺陷檢測技術有關的新興研究內容進行了全面回顧。 隨著智能終端、無線通信與網絡基礎設施、智能駕駛、云計算、智慧醫療等產業的蓬勃發展
具有納米缺陷結構的BiSbTe－/非晶硼復合材料超高熱電性能
AEnM： 基于Seebeck and Peltier效應，最先進的碲化鉍熱電材料能夠直接和可逆地將熱能轉化為電能，在能量收集和固態冰箱方面有巨大的潛力。但是，它們的廣泛使用受到轉換效率低的限制，轉換效率由無量綱的品質因數（ZT）決定。由于電導率和熱導率相互依賴，顯著提高ZT是一個巨大的挑戰。
什么是非晶納米晶
非晶納米晶是一種金屬合金，但是由于其特殊的工藝將其變成了非晶態，所以非晶又被叫做玻璃金屬。而納米晶是是再非晶的基礎上其尺寸大小為納米級別，非晶納米晶是非晶和納米晶的混合體
非晶納米晶的應用領域
非晶納米晶材料主要在航空航天領域使用，主要用作宇航員宇航服材料技術，用于應對外太空可能出現的各種不利環境，保護宇航員不受外界病菌侵害。
非晶納米晶的應用領域
非晶納米晶材料主要在航空航天領域使用，主要用作宇航員宇航服材料技術，用于應對外太空可能出現的各種不利環境，保護宇航員不受外界病菌侵害。
最純砷化鎵半導體面世
美國普林斯頓大學研究人員在《自然·材料》雜志報告稱，他們研制出了世界上迄今最純凈的砷化鎵。該砷化鎵樣品的純度達到每100億個原子僅含有一個雜質，純度甚至超過了用于驗證一千克標準的世界上最純凈的硅樣品。 砷化鎵是一種半導體，主要用于為手機和衛星等提供電力。新研究得到的砷化鎵樣品呈正方形，邊長與一
共晶的結構共晶的結構是什么
共晶體是百分之100的原因是由一定共晶成分的熔液在一定共晶溫度析出兩種或兩種以上的晶體所組成的混合體。混合體中各相以一定的形式相間排列，呈共晶組織晶體不是單一的相，通常由兩種以上的相組成，相是指成分，晶體結構，性能都相同的東西。共晶體是共晶成分的合金，兩組成相同時凝固而獲得由兩相細密混合物所構成的組
《自然》呼吁重新定義肥胖：BMI是一個有缺陷的指標
·BMI并不測量體脂，它也忽略了一些其他影響健康的因素，如年齡、性別和種族等，因此并不是所有BMI高的人都健康狀況不佳或死亡風險更高。 ·由于BMI是根據白人的測量數據開發的，有色人種“不太適合這些參數”。與白人相比，BMI指數較低的亞洲人患心臟病等疾病的風險更大，這可能是由于體脂百分比和分布
有源晶振和無源晶振的比較
有源晶振和無源晶振無源晶振：其本身是一個晶體不能振蕩，需依靠配合其他IC內部振蕩電路工作。有源晶振：是“晶體+振蕩電路”封裝在一起，只要給它供上電源就有波形輸出。?1、無源晶振——無源晶振需要用DSP片內的振蕩器，因為本身沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，同樣的晶體可
1000萬畢業生待價而沽：想賺錢，還想體面
在討論中國的“X世代”和“千禧一代”時，人們常常用“生在新中國，長在紅旗下。走在春風里，準備跨世紀”作為他們一生的寫照。 1965年至1980年出生的X世代把考上大學視為“鯉魚躍龍門”，一張通知書便把窮小子變成同時代的鳳毛麟角。每年畢業季都意味著一批大規模的階級躍遷，直到1999年，畢業生還能
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題1
碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題2
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
晶圓切割設備——晶圓切割機的原理？
芯片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鉆石刀刃來進行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分開。由于系采用磨削的方式進行切割，會產生很多的小粉屑，因此 在切割過程中必須不斷地用
晶相高聚物和非晶相高聚物的相關介紹
高聚物的性能不僅與高分子的相對分子質量和分子結構從結晶狀態來看，線型結構的高聚物有晶相的和非晶相的。晶相高聚物由于其內部分子排列很有規律，分子間的作用力較大，故其耐熱性和機械強度都比非晶相的高，熔限較窄。非晶相高聚物沒有一定的熔點，耐熱性能和機械強度都比晶相的低，由于高分子的分子鏈很長，要使分子