國內第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設計出發，成功構建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結構，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術，具有良好的結晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關產業發展。 近年來，中國電科圍繞國家戰略需求，在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料領域砥礪深耕并取得重大突破和標志性成果，有力支撐了我國超寬禁帶半導體材料的發展。......閱讀全文
中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大
國內第一！中國電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶
近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、
上海微系統所制備出晶圓級金剛石基氧化鎵陣列化單晶薄膜
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣團隊，聯合南京電子器件研究所研究員李忠輝團隊，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。12月9日，研究成果在第70屆國際電子器件大會（IEDM 2024）上以口頭報告的形式發表。在寬/超寬禁帶半導體材料中，氧化鎵的熱導率最低，不到硅材料的1
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學院龍世兵教授課題組兩篇關于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）被大會接收。 IEEE IEDM是一個年度微電子和納電子學術會議，是
氧化鎵半導體器件領域研究取得重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日報合肥12月12日電 （記者吳長鋒）12日，記者從中國科學技術大學獲悉，日前在美國舊金山召開的第68屆國際電子器件大會（IEEE IEDM）上，中國科大國家示范性微電子學
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（一）
日前，據日本媒體報道，日本經濟產業省（METI）計劃為致力于開發新一代低能耗半導體材料“氧化鎵”的私營企業和大學提供財政支持。報道指出，METI將為明年留出大約2030萬美元的資金去資助相關企業，預計未來5年的資助規模將超過8560萬美元。 ? 眾所周知，經歷了日美“廣場協定”的日本
備受看好的氧化鎵材料是什么來頭？－（二）
行業的領先廠商 ? 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 ? 相關資料顯示，Flosfia成立于20
我國學者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展
圖 非晶氧化鎵的密度、組分比及結構描述器SSF與熱導率之間的關系 在國家自然科學基金項目（批準號：51825601、U20A20301）資助下，清華大學曹炳陽教授團隊及合作者在非晶氧化鎵導熱領域取得進展。研究成果以“結合機器學習與實驗揭示非晶氧化鎵原子結構與熱輸運性質的相關性（Unraveling
氧化鎵功率電子器件領域新進展，入選ISPSD
近日，中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議（ISPSD，全稱為：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級
科學家研發水分解材料保護層
? ? ? ??在利用太陽能進行水分解的過程中，用于光吸收的材料（如硅、砷化鎵）很容易受到水溶液的腐蝕而喪失原有功能。 加州理工學院人工光合作用聯合中心（JCAP）的研究人員近日宣布開發出一種方法，能夠保護用于光吸收的半導體材料。 研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵
號稱芯片新糧食，兩部門出手對兩大稀有金屬出口管制
7月3日晚間，商務部、海關總署發布公告，為維護國家安全和利益，經國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。公告自2023年8月1日起正式實施。 值得一提的是，鎵、鍺都是重要的稀有金屬，在半導體材料、新能源等領域應用廣泛。其中，鎵更是被稱為“半導體工業新糧食”，鍺也是重要的半導體材料之一。從
我國科研人員為氧化鎵晶體管找到新結構方案
26日，記者從中國科學技術大學獲悉，該校微電子學院龍世兵教授課題組聯合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應晶體管。相關研究成果日前分別在線發表于《應用物理通信》《IEEE電子設備通信》上。 作為新一代功率半導體材料，氧化鎵的p型摻雜目前
關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告
據商務部網站消息，根據《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿易法》《中華人民共和國海關法》有關規定，為維護國家安全和利益，經國務院批準，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制。有關事項公告如下： 一、滿足以下特性的物項，未經許可，不得出口： （一）鎵相關物項。 1.金屬鎵（單質）（參
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
多孔單晶表面精細結構調控增強一氧化碳氧化研究獲進展
多孔單晶兼具長程有序晶格結構和無序連通孔道結構的雙重優勢。多孔單晶晶格結構清晰、化學組分精準、終止表面明確，可構筑連續高度扭曲活性表面及精細結構，對于研究各類實際催化反應中的表面結構及催化機制具有重要意義。 中國科學院功能納米結構設計與組裝/福建省納米材料重點實驗室研究員謝奎課題組通過晶格重構
歐欣、郝躍課題組超寬禁帶半導體異質集成研究獲進展
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
超寬禁帶半導體新進展－推動氧化鎵功率器件規模化應用
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
鎵儲備不足－美國國防部決定從“廢品”中回收鎵
財聯社7月27日訊 美國國防部計劃在年底前首次與美國或加拿大公司簽訂有關回收鎵的合同，鎵是一種用于半導體和軍用雷達的礦物。 7月3日，中國商務部、海關總署宣布，為維護國家安全和利益，決定自2023年8月1日起對鎵和鍺兩種關鍵金屬實行出口管制。 本月早些時候，在被問及這兩種關鍵金屬的儲備情況時
原子尺度調節鎵鋅混合氮氧化物納米線能帶結構新研究
近日，中國科學院國家納米科學中心研究員宮建茹與南京航空航天大學教授宣益民、中科院高能物理研究所研究員張靜合作，在原子尺度調節 (Ga1-xZnx)(N1-xOx) 固溶體納米線能帶結構研究方面取得新進展，1月21日，相關研究成果以Atomic arrangement matters: band-
單晶硅的單晶硅制備與仿真
主要有兩種方法：直拉法（Cz法）、區熔法（FZ法）；1）直拉法其優點是晶體被拉出液面不與器壁接觸，不受容器限制，因此晶體中應力小，同時又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。此法制成的單晶完整性好，直徑和長度都可以很大，生長速率也高。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。因此，一些化學性
科學家在鋱鎵石榴石基磁光陶瓷研究方面取得系列進展
鋱鎵石榴石（Tb3Ga5O12，TGG）在可見及近紅外波段具有較高的Verdet常數、優異的光學性能、高的熱導率和激光損傷閾值，上述優點都使TGG成為光隔離器用的重要磁光材料。TGG單晶在制備過程中會產生氧化鎵揮發而影響其晶體質量，且難以獲得大尺寸單晶。相較而言，TGG陶瓷可以在較低的燒結溫度及
銻化鎵的應用
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數為0.60959nm。GaSbChemicalbook具有優異的物理化學性能，常被用做襯底材料，應用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激
鎵是什么意思
鎵的意思是金屬元素，符號Ga（gallium）。鎵（Gallium）是灰藍色或銀白色的金屬，符號為Ga，原子量69.723。鎵熔點很低，但沸點很高，在空氣中易氧化，形成氧化膜，純液態鎵有顯著的過冷的趨勢，可由鋁土礦或閃鋅礦中提取，最后經電解制得純凈鎵，適合使用塑料瓶（不能盛滿）儲存。布瓦博得朗沒有意
EDTA絡合滴定法測定金鎵合金中的鎵
一、方法要點試樣用鹽酸和硝酸溶解，加鹽酸蒸發驅除硝酸，用亞硫酸還原金。加一定過量的EDTA溶液絡合鎵，在pH5．8的六亞甲基四胺緩沖溶液中，以二甲酸橙作指示劑，用鋅標準溶液返滴定以測定鎵量。本法適用于分析金鎵合金中3％～5％的鎵。二、試劑(1)氯化鈉、六亞甲基四胺。(2)二甲酚橙：0.2％溶液。(3
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，
半導體材料的制備方法
不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個“9”以上 ，最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類，一
鐵磁形狀記憶合金或可實現工程應用
哈爾濱工業大學材料學院副教授張學習與美國西北大學合作開展的具有大磁感生應變性能的泡沫鎳錳鎵合金的制備過程與組織性能研究，首次在泡沫材料中發現大的磁感生應變。《自然—材料學》雜志近期刊登了這一研究成果并給予高度評價。 鎳錳鎵合金具有磁感生應變特性最早發現于1996年，2002
氮化鎵襯底晶片實現“中國造”
蘇州納維生產的4 英寸GaN 單晶襯底 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵（GaN）襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司（以下簡稱蘇州納維）的主打產品。 “不會游泳的