愛發科ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）李希有（010-62784044,13641166426,lxyou@mail.tsinghua.edu.cn）分類標簽：半導體 微納加工 集成電路 刻蝕技術指標：介電材料刻蝕：ICP模式；刻蝕精度：0.35微米知名用戶：王喆垚、任天令、劉澤文、吳華強、梁仁榮、潘立陽、王敬、許軍、鄧寧、錢鶴、伍曉明（微電子所） 尤政、朱榮、阮勇（精儀系）、羅毅（電子系）、姚文清（化學系）技術團隊：吳華強、伍曉明、劉朋、李希有、仲濤功能特色：自動化......閱讀全文
等離子刻蝕機的激光干涉和預報式檢測相關介紹
激光干涉 激光干涉終點法（IEP）是用激光光源檢測透明薄膜厚度的變化，當厚度變化停止時，則意味著到達了刻蝕終點。其原理是當激光垂直入射薄膜表面時，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。 預報式檢測 隨著主流半導體工藝技術由0.18 μm 逐漸轉移到0.13 μ
等離子體/化學刻蝕設備化學刻蝕的介紹和過程
化學蝕刻（Chemical etching） 蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。 通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯
清華大學儀器共享平臺中科院微電子－NICP刻蝕機
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希有（010-627
「官網」2025深圳13屆國際半導體刻蝕機展「半導體展會」
「官網」2025深圳13屆國際CMP拋光材料展「半導體展會」展會時間：2025年4月9日-11日論壇時間：2025年4月9日-11日舉辦地點：深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模：?面積10萬平米，展商1800余家，展位3600多個，觀眾近10萬人次展會報名：136 （李先生）中間
首臺國產12英寸晶邊刻蝕機在北京經開區發布
近日，北京經開區企業北方華創科技集團股份有限公司（以下簡稱“北方華創”）正式發布應用于晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝的12英寸等離子體刻蝕機Accura BE，實現國產晶邊干法刻蝕設備“零”的突破，為我國先進芯片制造量身打造良率提升高效解決方案。 何謂晶邊刻蝕機？在器件制造過程中，由于薄
新型的硅深刻蝕技術
牛津儀器發布了名為PlasmaPro? Estrelas100的硅深刻蝕技術，該技術提供了工業級的領先工藝性能，可以為微機電系統(MEMS)市場提供極為靈活的解決方案。 考慮到研發領域的需要，PlasmaPro? Estrelas100提供了極致的工藝靈活性。因為硬件的設計考慮到了
等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式
SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式： 直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得最大的平面刻蝕效果。 定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。 下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得
中微5納米等離子體刻蝕機又被網媒“戴高帽”
近來有網絡媒體稱，“中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機，性能優良，將用于全球首條5納米芯片制程生產線”，并評論說“中國芯片生產技術終于突破歐美封鎖，第一次占領世界制高點”“中國彎道超車”等等。 中微公司的刻蝕機的確水平一流，但夸大闡述其戰略意義，則被相關專家反對。刻蝕只是芯片制造多個環節
弘塑刻蝕系統共享應用
儀器名稱：刻蝕系統儀器編號：04009242產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：NitrideEtch出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,13
GCS采購牛津儀器ICP復合刻蝕系統
刻蝕、沉積和生長系統的領先供應商牛津儀器今日宣布與全球通信半導體公司（GCS）簽訂了PlasmaPro? System100 ICP 180復合刻蝕系統的訂單。這將會擴大GCS的加利福利亞工廠在電介質和氮化鎵刻蝕的能力，并將會安裝更多牛津儀器提供的設備。 “GCS之所以選擇牛津儀器，是因為他們
微波等離子體亞深微米刻蝕
利用微波電子回旋共振（ECR）可以產生高密度的等離子體，選擇不同的活性種粒分別對硅、砷化鎵等半導體，Al, Cu, W, Ti 等金屬，SiO2, Si3N4, Al2O3等無機物質和聚酰亞胺等有機物質，進行選擇性刻蝕，制備大規模集成電路的芯片。現在的刻蝕技術，主要是采用電子束或同步輻射束曝光后，用
科研人員發明晶體“自刻蝕”新工藝
在半導體領域，平面內橫向精準構建是探索新奇物性、研發新型器件及推動器件微型化的關鍵。近期，中國科學技術大學科研團隊等，在新型半導體材料領域取得重要進展，首次在二維離子型軟晶格材料中，實現了面內可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質結可控構筑，為未來高性能發光和集成器件的研發開辟了全新路徑。以二維鹵化物
新型材料工藝刻蝕高性能微芯片
一塊10厘米的硅晶圓，上面有使用B-EUV光刻技術制作的大型可見圖案。圖片來源：美國約翰斯·霍普金斯大學一個國際聯合團隊在微芯片制造領域取得關鍵突破：他們開發出一種新型材料與工藝，可生產出更小、更快、更低成本的高性能芯片。該研究結合實驗與建模手段，為下一代芯片制造奠定了材料與工藝基礎。相關成果發表在
科研人員發明晶體“自刻蝕”新工藝
在半導體領域，平面內橫向精準構建是探索新奇物性、研發新型器件及推動器件微型化的關鍵。近期，中國科學技術大學科研團隊等，在新型半導體材料領域取得重要進展，首次在二維離子型軟晶格材料中，實現了面內可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質結可控構筑，為未來高性能發光和集成器件的研發開辟了全新路徑。以二維鹵化物
化學刻蝕結合激光熔融拋光法加工熔石英元件
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所精密光學制造與檢測中心研究團隊結合化學深刻蝕和激光拋光，對精磨后的熔石英玻璃進行加工，獲得具有超光滑表面和高激光損傷閾值的熔石英元件。 熔石英元件的紫外激光損傷是制約高功率激光系統發展的關鍵問題。熔石英玻璃的傳統加工方法歷經成型、研磨和機械化學拋光等工藝手
新型激光刻蝕技術將普通金屬變成超級材料
飛秒激光在金屬表面刻蝕出的層次結構，如鉑表面在掃描電子顯微鏡(SEM)下的圖片所示 羅切斯特大學光學院的教授郭春雷研制出了一種用激光讓材料具有疏水性的技術， 如圖所示，水珠從被該技術處理過的樣品表面上滑落。 華盛頓2015年1月20日—紐約羅切斯特大學的研究者們通過用飛秒激光脈沖轟擊普通
X射線能譜儀在薄膜器件刻蝕中的應用
锫鈦酸鉛[Pb（Ti,Zr）O3,簡稱 PZT]是一種新型的鐵電薄膜材料,具有獨特的電學,光學性能,有很廣泛的應用價值。PZT 薄膜與器件的制造,均采用集成電路制造工藝。使用掃描電鏡與 X 射線能譜儀對其進行工藝監控,可以得到比較滿意的結果。
低雜波保護限制器熱斑刻蝕機理研究取得進展
近日，中國科學院合肥物質科學研究院等離子體物理研究所研究員徐國盛帶領的研究團隊，通過研究 EAST 低雜波保護限制器熱斑刻蝕機理，揭示 EAST 低雜波石墨保護限制器熱斑引起雜質爆發的物理機制是以化學濺射為主，因此當溫度上升到碳的化學濺射增強的溫度，就會出現碳雜質爆發現象，嚴重制約低雜波系統的高
反應離子蝕刻機共享
儀器名稱：反應離子蝕刻機儀器編號：85427700產地：瑞典生產廠家：瑞典型號：PTL 520/520出廠日期：198509購置日期：198509所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
反應離子蝕刻機共享應用
儀器名稱：反應離子蝕刻機儀器編號：85427700產地：瑞典生產廠家：瑞典型號：PTL 520/520出廠日期：198509購置日期：198509所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
清華大學儀器共享平臺反應離子蝕刻機
儀器名稱：反應離子蝕刻機儀器編號：85427700產地：瑞典生產廠家：瑞典型號：PTL 520/520出廠日期：198509購置日期：198509所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希有（010-6278404
等離子清洗機,材料表面清洗、活化、蝕刻、涂層
金鉑利萊作為專業生產等離子清洗機的生產廠商，在網上經常有咨詢到等離子清洗機的用途有哪些，我的行業能使用等離子清洗機嗎?他在我們行業是怎么樣工作的，小編總結我們等離子清洗機的一般用途來告訴大家，但是大家有需要等離子清洗機請聯系我們！現在我們一起來看看。 一、金屬表面去油及清潔 金屬表面
格拉斯哥大學采用等離子刻蝕系統(牛津儀器公司)
英國格拉斯哥大學的詹姆斯?瓦特納米技術中心在其已安裝的牛津儀器公司刻蝕和沉積設備基礎上添加了一臺 PlasmaPro? System100 ICP 等離子刻蝕系統。 PlasmaPro System100 ICP 適用于多種用途下的化合物半導體材料刻蝕，如光電子、毫米波&太赫茲
晶體“自刻蝕”新工藝實現低維光伏材料精密制備
中國科學技術大學特任教授張樹辰團隊聯合美國普渡大學、上海科技大學的研究人員，首次在二維離子型軟晶格材料中，實現了面內可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質結可控構筑，為未來高性能發光和集成器件的研發開辟了全新路徑。1月15日，相關成果在線發表于《自然》。在半導體領域，能夠在材料平面內橫向精準構建異質結
清華大學儀器共享平臺Gatan－離子束鍍膜刻蝕系統
儀器名稱：離子束鍍膜刻蝕系統儀器編號：14012804產地：美國生產廠家：Gatan型號：682出廠日期：201308購置日期：201407樣品要求：尺寸要求：最大尺寸直徑32mm、高度10mm樣品其他要求：真空下不能有揮發物。所屬單位：材料學院>材料中心 >電鏡中心放置地點：主樓11-127固定電
903萬！中國科學院半導體研究所采購科研儀器設備
分析測試百科網訊 近日，中國科學院半導體研究所采購厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺、硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機，預算金額903萬元，文件詳情如下：設備用途：1.厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺用于光波導器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀積，適用于波導器件中包層薄膜的沉積。2.硅基鈮酸
1.88億－華中科技大學公布2025年4至11月政府采購意向
為便于供應商及時了解政府采購信息，根據《財政部關于開展政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔2020〕10號）等有關規定，現將華中科技大學2025年4至11月政府采購意向公開如下：序號項目名稱數量采購需求概況預算金額（萬元）預計采購日期1顯微多普勒激光測振儀1臺點擊查看3502025年4月2氧化物單層
355nnm紫外激光器刻蝕玻璃表面，如魔術般給你驚喜
納秒固體紫外激光器在玻璃上打標，大小誤差僅0.05mm355nnm紫外激光器刻蝕玻璃表面，如魔術般給你驚喜好品質，RFH 造！客戶又雙叕回購紫外激光器雕刻玻璃??當光束進入玻璃之中，會在表面反射部分光，而大部分光會直接透過玻璃，使用紫外線也是一樣。在紫外激光器發射紫外激光到玻璃表面時，會進行刻蝕，從
牛津儀器等離子體技術—為刻蝕、沉積提供領先設備和工藝
分析測試百科網訊 2018年11月7日，牛津儀器在西安天驪君廷酒店召開等離子體技術在刻蝕與沉積工藝中的應用研討會，來自牛津儀器等離子技術部亞洲區銷售和服務副總裁Ian Wright先生為大家詳細介紹了牛津儀器等離子技術部的發展情況及產品介紹。研討會還邀請到西安電子科技大學楊凌教授、中國電子科技集
物理所率先實現基于石墨烯的各向異性刻蝕技術
最近，中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）張廣宇研究組與高鴻鈞研究組、王恩哥研究組合作，利用自制的遠程電感耦合等離子體系統，首次成功實現了石墨烯的可控各向異性刻蝕。這種基于石墨烯的各向異性刻蝕技術是我國科學家在該研究領域中獨具特色的工作，相關結果發表在【Advan