極紫外光刻新技術問世
據日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。 在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和傳統的紫外線光刻技術，光圈和透鏡等光學元件以軸對稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線，因為它們的波長極短，大多數會被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形鏡子引導。但這又會導致光線偏離中心軸，從而犧牲重要的光學特性并降低系統的整體性能。 為解決這一問題，新光刻技術通過將兩個具有微小中心孔的軸對稱鏡子排列在一條直線上來實現其光學特性。 由于EUV吸收率極高，每次鏡子反射，能量就會減弱40%。按照行業標準，只有大約1%的EUV光源能量通過10面反射鏡最終到達晶圓，這意味著需要非常高的EUV光輸出。 相比之下，將EUV光源......閱讀全文
極紫外光刻新技術問世
據日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。 在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和
“極紫外光刻關鍵技術研究”通過驗收
近日，“極紫外（EUV）光刻關鍵技術研究”項目驗收會在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（以下簡稱長春光機所）召開，驗收會由“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（02專項）實施管理辦公室組織。 會上，評審專家組肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的
極紫外線光刻機和簡介和功能
極紫外線光刻機是芯片生產工具，是生產大規模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產。 2018年4月，中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV（極紫外線）光刻機，預計將于2019年初交貨。 功能 光刻機（又稱曝光機）是生產大規模集成電路的核心設備
光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。
中紫外直接光刻設備研制成功
近日，一種新型的中紫外直接光刻機由中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊在國內研制成功。該設備采用特有的高均勻、高準直中紫外照明技術，結合光敏玻璃材料，實現基于光敏玻璃基底的微細結構直接加工，能夠極大簡化工藝流程，將有力促進光敏玻璃微細結構的光刻工藝技術“革命”，目前在國內尚未見有此類產
奧普光電對于晶體材料用于紫外光刻回應
有投資者在投資者互動平臺提問：請問公司CaF2晶體材料是否可用于紫外光刻？奧普光電（002338.SZ）2月27日在投資者互動平臺表示，公司生產的CaF2晶體材料未用于紫外光刻。
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻機為什么一定用紫外線
光刻機采用激光將圖形刻印在半導體上，但光是電磁波，不同的光線具有不同的波長。如果需要刻印的圖形非常微小，而采用的光線波長較大，則刻不出想要的圖形。就像你不能用拖把（書寫痕跡粗大）在田字格本上寫毛筆字（筆劃細小）。現在的芯片集成度越來越高，最高端的芯片工藝已經到了2nm級別。而可見光波長在780nm（
極紫外光源技術項目通過驗收
9月23至24日，由中國科學院大連化學物理研究所分子反應動力學國家重點實驗室楊學明院士承擔的中國科學院關鍵技術研發團隊項目“極紫外光源技術及其在能源基礎科學研究中的應用團隊”通過驗收。 中科院條件保障與財務局組織驗收專家組聽取了項目總體報告和三個核心成員報告，了解了財務審查情況，現場查看了項
光電所研制出實用深紫外光刻機
近日，中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機（Mask aligner），光刻分辨力達到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數量最多的一種光刻設備。在現有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定
雙波長激光器造就無需紫外光的光刻技術
【導語】計算機芯片中采用光刻技術創建圖片來存儲信息，光刻技術中紫外光和圖片大小有成正比關系，紫外光波長越短，圖片越小，短波紫外光條件非常苛刻而且昂貴。近期，John Fourkas，來自美國馬里蘭大學化學與生命科學學院的化學與生物化學教授，和他的研究小組已經研發出一種新型臺式儀器——RAPID光
長春光機所極紫外多層膜膜厚分布超高精度控制研究獲進展
近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所應用光學國家重點實驗室金春水研究團隊在極紫外多層膜膜厚分布超高精度控制研究方面取得新進展：通過采用遺傳算法，實現了Φ200mm曲面基底上極紫外多層膜膜厚分布控制精度優于±0.1%，鍍膜引起的不可補償面形誤差小于0.1nmRMS，相關指標達到國際先進水平
紫外納米壓印光刻機提升我國微納級制造業能力
記者日前從中科院光電技術研究所獲悉，該所微電子專用設備研發團隊已自主研制出一種新型紫外納米壓印光刻機，其成本僅為國外同類設備1/3，將有力推進我國芯片加工等微納級結構器件制造水平邁上新的臺階。 光刻機是微納圖形加工的專用高端設備。光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，這套設備采用新型納米對準
學者綜述星際分子極紫外光化學研究
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/502712.shtm近日，中國科學院大連化學物理研究所研究員袁開軍團隊和英國布里斯托大學Mike Ashfold教授受邀，在《國家科學評論》發表了星際分子極紫外光化學研究綜述文章。其系統介紹了團隊近幾年基
我國成功研制世界上最亮極紫外光源
中國科學院研制的“大連光源”15日發出了世界上最強的極紫外自由電子激光脈沖，單個皮秒激光脈沖產生140萬億個光子，成為世界上最亮且波長完全可調的極紫外自由電子激光光源。 在這樣的極紫外光照射下，區域內幾乎所有原子和分子都“無處遁形”。因此，“大連光源”可被用于觀測與燃燒、大氣以及潔凈能源相關的
寬刀雕細活－我國造出新式光刻機
11月29日，中科院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”通過驗收，這是世界上首臺用紫外光源實現了22納米分辨率的光刻機。 光刻機相當于一臺投影儀，將精細的線條圖案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但線條精細程度有極限——不能低于光波長的一半。“光太胖，門縫太窄，
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
光刻機的性能指標
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。 分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。 對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度
攻克“光源中的光源”，中國芯走上新道路
當前，芯片問題廣受關注，而半導體工業皇冠上的明珠——以極紫外（EUV）光刻機為代表的高端光刻機，則是我國集成電路（IC）產業高質量發展必須邁過的“如鐵雄關”。 如何在短期內加快自主生產高端光刻機的步伐，打破國外的技術封鎖和市場壟斷？筆者認為，應找準關鍵技術，攻克核心設備，躋身上游產業。認清光刻關
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
光刻機是什么
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機的種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機是什么
1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。3、Photolithogra