雙波長激光器造就無需紫外光的光刻技術
【導語】計算機芯片中采用光刻技術創建圖片來存儲信息，光刻技術中紫外光和圖片大小有成正比關系，紫外光波長越短，圖片越小，短波紫外光條件非常苛刻而且昂貴。近期，John Fourkas，來自美國馬里蘭大學化學與生命科學學院的化學與生物化學教授，和他的研究小組已經研發出一種新型臺式儀器——RAPID光刻儀(通過光致鈍化增強分辨率)，使無需使用紫外線制作微型圖片成為可能。 圖片說明：RAPID光刻儀——John Fourkas及其研究組研發出的技術可創建比人頭發絲小2500倍的圖片。 制作微型圖片的能力，對于計算機芯片的制造和納米技術其它許多現行的有潛力的應用來說，是非常必要的。然而，通過常用的稱為光刻技術的工藝制造較小的圖片，需要使用紫外光，因此從事此項研究就非常困難而且昂貴。 John Fourkas，來自美國馬里蘭大學化學與生命科學學院的化學與生物化學教授，和他的研究小組已經研發出一種新型臺式儀器——RA......閱讀全文
極紫外光刻新技術問世
據日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。 在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和
“極紫外光刻關鍵技術研究”通過驗收
近日，“極紫外（EUV）光刻關鍵技術研究”項目驗收會在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（以下簡稱長春光機所）召開，驗收會由“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（02專項）實施管理辦公室組織。 會上，評審專家組肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的
光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。
雙波長激光器造就無需紫外光的光刻技術
【導語】計算機芯片中采用光刻技術創建圖片來存儲信息，光刻技術中紫外光和圖片大小有成正比關系，紫外光波長越短，圖片越小，短波紫外光條件非常苛刻而且昂貴。近期，John Fourkas，來自美國馬里蘭大學化學與生命科學學院的化學與生物化學教授，和他的研究小組已經研發出一種新型臺式儀器——RAPID光
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
奧普光電對于晶體材料用于紫外光刻回應
有投資者在投資者互動平臺提問：請問公司CaF2晶體材料是否可用于紫外光刻？奧普光電（002338.SZ）2月27日在投資者互動平臺表示，公司生產的CaF2晶體材料未用于紫外光刻。
光電所深紫外光刻機鍍膜技術研究取得新進展
193nm 光刻機是目前半導體產業的核心裝備。為實現大的數值孔徑，光刻機鏡頭通常包含大量接近于半球形狀的凸球面和凹球面，這些球面導致同一鏡面上光線入射角度范圍高達0°到60°以上。目前通用的熱蒸發行星鍍膜技術會引起球面上嚴重的膜厚不均勻；同時在球面上的不同位置，高低折射率材料如LaF3 和MgF
RACE(rapidamplification－of－cDNA－ends)技術2
具體的實驗步驟cDNA第一條鏈的合成：我們建議進行cDNA合成的對照反應，這樣可以對樣品的 cDNA的合成進行鑒定。加入各種試劑之后，在氣浴中42度保溫一個小時。注意： 在水浴或酒精浴中保溫回減少反應體積，從而降低第一鏈的合成效率。將管放于冰上，以終止第一鏈的合成反應。直接進行第二鏈的合成。cDNA
RACE(rapidamplification－of－cDNA－ends)技術1
RACE技術的簡介cDNA完整序列的獲得對基因結構、蛋白質表達、基因功能的研究至關重要。完整的cDNA 序列可以通過文庫的篩選和末端克隆技術獲得。末端克隆技術是20世紀80年代發展起來的。RACE(rapid-amplification of cDNA ends)是通過PCR進行cDNA末端快速克隆
光電所研制出實用深紫外光刻機
近日，中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機（Mask aligner），光刻分辨力達到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數量最多的一種光刻設備。在現有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定
Glucosamine－Rapid－Assay
Glucosamine Rapid AssayMRTHOD:Place sample (containing 0.5 - 10 μg GlcN) in a Pyrex screw capped tube.Add HCl to a final concentration of 2N and a fin
光刻壟斷難解，技術難在哪？
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
光刻技術首次繪出銀納米結構
德國柏林亥爾姆茨材料和能源研究中心與聯邦材料測試與研究機構合作，首次在銀材料底層上完成光刻納米結構，為未來光計算機數據處理、新型電子器件制造開辟了新的途徑。這項成果刊登在美國化學學會的《應用材料和界面》雜志上。 要想在材料表面獲得精細結構圖樣，最佳選擇是采用電子顯微鏡掃描技術，利用電子束在其
美開發出熱蘸筆納米光刻技術
據美國物理學家組織網11月7日報道，美國科學家首次厘清了溫度在蘸筆納米光刻技術中的作用，據此研制出的熱蘸筆納米光刻技術能在物質表面構造大小為20納米的結構。借助這一技術，科學家們能廉價地在多種材料表面構造和種植出納米結構，用以制造電路和化學傳感器，或者研究藥物如何依附于蛋白質和病
我國納米光刻技術研究取得突破
日前，中科院光電技術研究所微光刻技術與微光學實驗室首次提出基于微結構邊際的LSP超分辨光刻技術。該技術利用微納結構邊際作為掩模圖形，對表面等離子體進行有效激發，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。 據相關負責人介紹，傳統的微光刻工藝采用盡可能
電工所科技前沿論壇“微光刻與電子束光刻技術”開講
從1958年世界第一塊平面集成電路到2012年04月24日英特爾在北京天文館正式發布核心代號為Ivy Bridge的第三代酷睿處理器—英特爾首款22納米工藝處理器，短短五十多年，微電子技術一直遵循著摩爾定律，發展勢頭迅猛。 針對微光刻與電子束光刻技術發展圖譜，7月6日，中科院微電子所陳
A－simple,－rapid－procedure－for－the－isolation－of－DNA－for－PCR
N.M. DuTeau and J.F. Leslie - Department of Plant Pathology, Throckmorton Hall, Kansas State University, Manhattan, KS 66506-5502The polymerase chain
A－rapid,－quantitative－and－inexpensive－method－for－detecting－apoptosis
ASTRACTWe describe a rapid and quantitative flow cytometric method for determining the apoptotic or anti-apoptotic potential of a gene in various cell
A－simple,－rapid－procedure－for－the－isolation－of－DNA－for－PCR
The polymerase chain reaction (PCR) is a method for amplifying specific segments of DNA defined by the small primers used to start the reaction. Using
巧用沾筆納米光刻技術獲得超材料
沾筆納米光刻工藝示意圖 你或許沒有想過將堅硬的金屬或半導體與柔軟的有機物或生物產品結合起來會是何種情景，不過美國科學家可以告訴你的是，他們獲得了自然界從沒有見過的混合材料，而這些混合材料在醫學和制造業中將具有驚人的應用前景。 美國佛羅里達州立大學綜合納米研究所（INSI）的科學家
研究人員提出新型混合光刻技術
近日，清華大學深圳國際研究生院副教授李星輝課題組在分焦面超像素陣列光刻制造領域取得新突破，為中紅外偏振成像系統的核心器件制備提供了新方案。相關研究成果發表于《極端制造》。分焦平面陣列因其具備高集成度、高魯棒性和高動態適應性等優勢，在偏振成像領域受到廣泛關注。制造分焦平面陣列的關鍵，在于制備陣列化的各
rapid－S－cube：專用測硫儀
隨著人們對環境的重視，硫的分析變得越來越重要。 德國Elementar公司是CHNS元素分析儀的專業廠商，在此技術之上，已經開發了用于測定總硫含量的專用儀器。 rapid S cube能夠分析幾乎每一種樣品，從土壤到液體，從有機物到無機物，樣品重量從微量到大量。除了優異的測量精密
A－rapid－and－highly－sensitive－method－for－somatic－mutation－profiling
AbstractTumor genotyping can provide a useful guide to drive clinical trials, inform treatment options, and predict patient outcomes1. This is due, in
極紫外光源技術項目通過驗收
9月23至24日，由中國科學院大連化學物理研究所分子反應動力學國家重點實驗室楊學明院士承擔的中國科學院關鍵技術研發團隊項目“極紫外光源技術及其在能源基礎科學研究中的應用團隊”通過驗收。 中科院條件保障與財務局組織驗收專家組聽取了項目總體報告和三個核心成員報告，了解了財務審查情況，現場查看了項
A－rapid,－quantitative－and－inexpensive－method－for－detecting－apoptosis2
Figure?1.Determination of apoptosis in transiently transfected murine [beta] tumor cells. (A) The number of apoptotic [beta]HC 13T tumor cells (% apop
Rapid－Isolation－and－Purification－of－Photosystem－I－ChlorophyllBinding...
The available procedures for isolation and purification of photosystem I (PSI) from Chlamydomonas reinhardtii are time consuming and usually require
新型激光刻蝕技術將普通金屬變成超級材料
飛秒激光在金屬表面刻蝕出的層次結構，如鉑表面在掃描電子顯微鏡(SEM)下的圖片所示 羅切斯特大學光學院的教授郭春雷研制出了一種用激光讓材料具有疏水性的技術， 如圖所示，水珠從被該技術處理過的樣品表面上滑落。 華盛頓2015年1月20日—紐約羅切斯特大學的研究者們通過用飛秒激光脈沖轟擊普通
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所