研究人員創造了一種利用快速電子研究材料中慢速電子的方法
電子的行為會因能量大小而大不相同。當電子(無論是高能還是低能)射入固體時,會產生各種效應。低能電子可能會導致癌癥的發展,但也可以用來摧毀腫瘤。電子在技術領域也很重要,例如用于生產微電子學中的微小結構。慢速電子可用于癌癥治療和微電子學,但要觀察它們在固體中的行為卻非常困難。但現在,維也納科技大學的科學家們實現了這一目標。 然而,這些慢速電子卻極難測量。有關它們在固體材料中行為的知識非常有限,科學家們往往只能依靠反復試驗。不過,維也納工業大學現已成功獲得有關這些電子行為的寶貴新信息:利用快速電子直接在材料中產生慢速電子。這樣就能破譯以前無法通過實驗獲得的細節。該方法現已發表在《物理評論快報》(Physical Review Letters)雜志上。 同時產生兩種電子 維也納工業大學應用物理研究所的沃爾夫岡-維爾納(Wolfgang Werner)教授說:"我們對慢速電子在材料內部(例如晶體內部或活細胞內部)的作用......閱讀全文
研究人員創造了一種利用快速電子研究材料中慢速電子的方法
電子的行為會因能量大小而大不相同。當電子(無論是高能還是低能)射入固體時,會產生各種效應。低能電子可能會導致癌癥的發展,但也可以用來摧毀腫瘤。電子在技術領域也很重要,例如用于生產微電子學中的微小結構。慢速電子可用于癌癥治療和微電子學,但要觀察它們在固體中的行為卻非常困難。但現在,維也納科技大學的
人類拍攝到半導體材料內部電子運動
英國《自然·納米技術》雜志11日在線發表論文稱,科學家們利用飛秒技術首次成功拍攝到半導體材料內部電子狀態變化。該成果將提供對半導體核心器件前所未有的洞察。 自20世紀后期以來,半導體器件技術進步集中且明顯,譬如晶體管、二極管以及太陽能電池等。這些器件的核心,正是電子在半導體材料中進行的內部運動
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場,是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破,成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管(MESFET)、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
半導體材料展|2024上海國際電子材料及電子化學品展覽會
展會概況展會名稱:2024中國(上海)國際電子展覽會展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新國際博覽中心展會規模:50,000平方米、800家展商、90,000名專業觀眾??展會介紹:? ? ? ?電子產業是電子信息產業的基礎支撐,中國電子元器
什么是半導體材料?常見半導體材料有哪些?
半導體材料是什么?半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1
慢速代謝的定義
中文名稱慢速代謝英文名稱bradymetabolism定 義代謝速率較慢,主要通過行為來進行體溫調節的代謝類型。應用學科生態學(一級學科),生理生態學(二級學科)
幾種半導體材料的光電子能譜研究
ZnO薄膜的光電子能譜研究表明:1)對某些條件下生長的薄膜,光致發光譜中存在的綠光發光峰來源于薄膜中介于Vo和Oi中間價態的氧;2)對首次利用濺射夾層GaAs方法制備的As摻雜的ZnO薄膜,O2下退火比較容易控制As的價態,有利于形成p型摻雜。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm電發
全國官宣/2024深圳半導體制造封裝材料展|碳化硅半導體材料與電子元器件展
深圳電子元器件展,電子儀器儀表展,深圳電子儀器儀表展,電子元器件展,深圳電子設備展,電子設備展,電子元器件展覽會,電子儀器展,深圳電子儀器展,電儀器展覽會,深圳繼電器展,深圳電容器展,深圳連接器展,深圳集成電路展2024中國(深圳)國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
什么是半導體材料?
半導體材料(semiconductormaterial)是導電能力介于導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料,其電導率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內。
半導體材料的定義
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體熱電材料
? 半導體熱電材料(英文名:semiconductor thermoelectric material)指具有較大熱電效應的半導體材料,亦稱溫差電材料。它能直接把熱能轉換成電能,或直接由電能產生致冷作用。? ? 1821年,德國塞貝克(see—beck)在金屬中發現溫差電效應,僅在測量溫度的溫差電偶
半導體材料的概念
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
半導體材料的特性
半導體材料的特性:半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電,室溫時電阻率一般在10-5~107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大;若摻入活性雜質或用光、射線輻照,可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外,半導體材料的導電性對外界條件(如熱、光、
電子/半導體的概述
定義:電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質稱為半導體: 簡介:室溫時電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm之間(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因上角標暫不可用,暫用當前方法描述),溫度升高時電阻率則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合
2024深圳半導體材料、設備展暨半導體微電子器件、傳感器展覽會
深圳電子元器件展,電子儀器儀表展,深圳電子儀器儀表展,電子元器件展,深圳電子設備展,電子設備展,電子元器件展覽會,電子儀器展,深圳電子儀器展,電儀器展覽會,深圳繼電器展,深圳電容器展,深圳連接器展,深圳集成電路展2024中國(深圳)國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
2025深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|
「官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間:2025年4月9日-11日論壇時間:2025年4月9日-11日舉辦地點:深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模:?面積10萬平米,展商1800余家,展位3600多個,觀眾近10萬人次展會報名:136 (李先生)中間四位
半導體展會2024半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
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慢速代謝的基本概念
中文名稱慢速代謝英文名稱bradymetabolism定 義代謝速率較慢,主要通過行為來進行體溫調節的代謝類型。應用學科生態學(一級學科),生理生態學(二級學科)
半導體展會2024上海半導體展|半導體設備展|2024半導體材料展
展會名稱:2024中國(上海)國際半導體展覽會英文名稱:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新國際
2024深圳半導體展會|半導體材料展會|半導體設備展會|《入口》
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化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例,通過比較可得:1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度,因此,可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越,容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高,為半絕緣襯底。電路工藝中便
2024中國(上海)國際電子元器件/半導體及材料應用大會
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半導體技術!2024上海電子元器件、材料及生產設備展覽會
展會名稱:2024中國(上海)國際半導體展覽會英文名稱:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間:2024年11月18-20日?論壇時間:2024年11月18-19日?展會地點:上海新國際
2025深圳13屆國際電子環氧樹脂材料封裝展「半導體展會」
官網」2025深圳13屆國際半導體技術展「半導體展會」展會時間:2025年4月9日-11日論壇時間:2025年4月9日-11日舉辦地點深圳福田會展中心 (深圳市福田中心區福華三路)展會規模:?面積10萬平米,展商1800余家,展位3600多個,觀眾近10萬人次展會報名:136 (李先生)中間四位數:
常見的半導體材料介紹
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
半導體材料的基本特性
自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因角標不可用,暫用當前描述)。在一般情況下,半導體電導率隨溫度的升高而降低。
半導體材料的應用介紹
制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純,要求的純度在6個“9”以上,最高達11個“9”以上。提純的方法分兩大類,
半導體材料的特性參數
半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性,稱為半導體材料的特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別,而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有:禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的
常用的半導體材料介紹
常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、 Ⅳ-Ⅵ族
半導體材料的早期應用
半導體的第一個應用就是利用它的整流效應作為檢波器,就是點接觸二極管(也俗稱貓胡子檢波器,即將一個金屬探針接觸在一塊半導體上以檢測電磁波)。除了檢波器之外,在早期,半導體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等,半導體的四個效應都用到了。從1907年到1927年,美國的物理學家研制成功晶體整流器、硒整流