中美科學家成功利用電場引導神經干細胞治療腦損傷

　　近日，一項刊登在國際雜志Stem Cell Reports上的研究報告中，來自加利福尼亞大學等機構的研究人員通過研究發現，利用電場或能夠引導神經干細胞移植到大腦中的特定位點，相關研究或為研究人員開發新方法來有效引導干細胞對大腦損傷修復提供新的思路和希望。文章中，研究者闡明了如何利用電場來指導傷口的愈合，損傷的組織能夠產生微弱的電場，研究人員揭示了這些電場如何吸引細胞進入到傷口幫助愈合。

　　研究者Min Zhao教授表示，再生醫學研究的需求之一就是如何有效安全地移動并且引導干細胞進入到損傷位點進行修復，由于干細胞沒有有效遷移到損傷位點往往是開發有效臨床療法的一大障礙。來自上海仁濟醫院的研究者Junfeng Feng也是該研究的參與者，他們共同研究闡明了如何利用電場來引導干細胞植入到大腦中。

　　天然的神經干細胞位于大腦深處（腦室下區和海馬體），其能夠發育成為其它大腦組織；為了修復大腦皮層的損傷，這些細胞不得不進行一些遠距離的遷移，尤其是在人類的大腦中，而移植的干細胞或許就需要進行遷移來尋找大腦損傷的區域。這項研究中，研究人員利用大鼠開發了一種干細胞移植模型，他們將人類的神經干細胞置于吻側遷移流（rostral migration stream，RMS)中，吻側遷移流是大鼠大腦中攜帶細胞進入嗅球的一種途徑，而嗅球能夠控制動物的嗅覺，細胞能夠發生遷移部分是因為腦脊髓液的流動，部分是在化學信號的驅動下進行的。

　　通過在大鼠大腦中應用電場，研究者發現他們可以促進移植的干細胞抵御流體逆流而上在大腦中尋找其它位點，在治療后這些移植的干細胞能夠在新的位點停留數周或數月時間；最后研究者Zhao說道，在大腦中對干細胞進行電場“動員”和引導或許就能夠為我們提供一種新方法來促進干細胞療法對大腦疾病、中風和損傷進行治療。