物理所等開發出可產業化晶硅倒金字塔制絨新工藝
得益于晶硅原料成本的大幅下降以及規模化效應，晶硅太陽能電池是目前光伏產業中居于絕對主導地位的產品，并在未來相當長時間內保持這種局面。硅片表面制絨是制造晶硅電池的第一道工藝，又稱“表面織構化”，是電池制造的一個核心環節。良好的絨面結構不僅可以降低太陽光反射率，增加光的吸收，而且可以提高表面鈍化以及電極接觸等特性，從而提高載流子的收集效率，因此，制絨工藝的創新研究一直是晶硅太陽能電池的焦點課題。在目前的制造工藝中，單晶或準單晶硅片的通用制絨工藝采用堿液金字塔刻蝕法，硅表面形成隨機金字塔結構，可對太陽光進行兩次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形狀的凹坑結構是更為理想的絨面，因為太陽光在倒金字塔絨面上會經歷三次反射，比金字塔絨面多吸收一次，反射率可降至5%左右，從而提高電池效率，因此廉價并可產業化的倒金字塔制絨工藝成為一個研發熱點，近二十年來科研人員嘗試了許多方案，可時至今日仍然沒有大的進展，成了一個公認的國際難題。 ......閱讀全文
物理所等開發出可產業化晶硅倒金字塔制絨新工藝
得益于晶硅原料成本的大幅下降以及規模化效應，晶硅太陽能電池是目前光伏產業中居于絕對主導地位的產品，并在未來相當長時間內保持這種局面。硅片表面制絨是制造晶硅電池的第一道工藝，又稱“表面織構化”，是電池制造的一個核心環節。良好的絨面結構不僅可以降低太陽光反射率，增加光的吸收，而且可以提高表面鈍化以及
鞍鋼高端絨面彩涂板出口俄羅斯
鞍鋼成功開發出絨面彩涂板并實現批量生產，目前已累計獲得訂單1620噸，全部銷往國外，主要用于俄羅斯高檔建筑上，標志著鞍鋼彩涂板又一新品種走出國門。 絨面彩涂板屬于特殊效果彩涂板，表面狀似絲絨，相比普通彩涂產品擁有更漂亮典雅的外觀，是目前高端新型建筑裝飾用彩涂板，被譽為彩涂板中的明珠，價格高于同
有機/無機異質結太陽能電池方面研究取得系列進展
當前硅基太陽能電池實驗室效率的世界紀錄（25.6%）是由日本松下公司創造的，其器件結構是基于晶體硅/非晶硅薄膜的異質結形式（HIT電池）。HIT電池中充分利用了非晶硅薄膜對單晶硅表面的高質量鈍化，以極低的界面電學損失獲得超高的開路電壓（740 mV）。借鑒HIT結構，新近發展起來的單晶硅/有機
等離子體/化學刻蝕設備的刻蝕分類
刻蝕最簡單最常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。 濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是： 濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕
等離子體/化學刻蝕設備中刻蝕的解釋
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是
有機/無機異質結太陽能電池方面取得系列進展
當前硅基太陽能電池實驗室效率的世界紀錄（25.6%）是由日本松下公司創造的，其器件結構是基于晶體硅/非晶硅薄膜的異質結形式（HIT電池）。HIT電池中充分利用了非晶硅薄膜對單晶硅表面的高質量鈍化，以極低的界面電學損失獲得超高的開路電壓（740 mV）。借鑒HIT結構，新近發展起來的單晶硅/有機
金字塔選址之謎破解
地質調查顯示，古埃及許多金字塔是沿著尼羅河一條現已枯竭的支流建造的。這可以解釋為什么包括著名的吉薩大金字塔在內的金字塔，都聚集在一片貧瘠、不適宜居住的土地上。相關論文發表于《通訊-地球與環境》。澳大利亞麥考瑞大學的Tim Ralph說：“自古以來，尼羅河就為定居點的埃及人提供食物，同時是貨物和建筑材
NICP刻蝕機共享
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
什么是濕法刻蝕
這是傳統的刻蝕方法。把硅片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的方法稱為“濕法”刻蝕。它的優點操作簡便；對設備要求低；易于實現大批量生產；刻蝕的選擇
等離子體/化學刻蝕設備——等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
干法刻蝕與濕法刻蝕主要區別及工藝特點
基本工藝要求 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的
等離子體/化學刻蝕設備化學刻蝕的介紹和過程
化學蝕刻（Chemical etching） 蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。 通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯
ICP刻蝕機F共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
ICP刻蝕機Cl共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
NICP刻蝕機共享應用
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
ICP設備(刻蝕機)共享
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
硅太陽能電池制造工藝流程圖
1、硅片切割，材料準備：工業制作硅電池所用的單晶硅材料，一般采用坩鍋直拉法制的太陽級單晶硅棒，原始的形狀為圓柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的邊長一般為10~15cm，厚度約200~350um，電阻率約1Ω.cm的p型（全球節能環保網摻硼）。2、去除損傷層：硅片在切割過程會出現大量的
新型的硅深刻蝕技術
牛津儀器發布了名為PlasmaPro? Estrelas100的硅深刻蝕技術，該技術提供了工業級的領先工藝性能，可以為微機電系統(MEMS)市場提供極為靈活的解決方案。 考慮到研發領域的需要，PlasmaPro? Estrelas100提供了極致的工藝靈活性。因為硬件的設計考慮到了
ICP設備(刻蝕機)共享應用
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
晶澳多晶硅電池光電轉化率達17.8％
近日，晶澳公司成功克服太陽能電池工藝行業難題，將多晶產品光電轉化率提高到17.8%這一世界級水平，對推進我國“太陽能屋頂計劃”意義重大。 在太陽能電池領域，光電轉化率是一項極其重要的技術指標。目前，國內光伏企業同類太陽能電池產品的光電轉化率在17.1%至17.3%之間。決定光電轉化率的關鍵
絨擬云芝孢子結構
絨擬云芝子實體小，非褶菌目，多孔菌科，纖孔菌屬。菌蓋無柄，半圓形，復瓦狀生長，往往相互接連，1-2cm×1.5-3cm，厚0.2-0.6cm，黃褐色至紅褐色，有細絨毛，常具輻射狀皺紋及粗糙，邊緣薄而銳。菌肉黃褐色，厚約1mm。 絨擬云芝菌管長1-5mm，色較菌肉深。管口初期污白色，圓形，漸呈褐
棉花短絨變身電池原料
小小的棉花短絨，居然可以成為制造電池的原料，還能吸附化學試劑。最近，中國科學院新疆理化所資源化學研究室研究員張亞剛帶領的研究團隊就以棉花短絨為原料，設計開發了新型碳纖維和功能型氮摻雜多孔碳材料。 傳統的碳材料制備方法需要消耗大量的化石能源，還伴隨著環境問題。多年來，該團隊以棉花短絨為突破口，力
簡介等離子刻蝕機的應用
等離子體處理可應用于所有的基材，甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型應用包括： 等離子體清除浮渣 光阻材料剝離 表面處理 各向異性和各向同性失效分析
等離子刻蝕機的原理簡介
感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻
LAM－干法刻蝕機共享應用
儀器名稱：干法刻蝕機儀器編號：16002654產地：美國生產廠家：LAM型號：LAM4520XL出廠日期：199801購置日期：201602所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,133662739
等離子刻蝕機有哪些缺點？
1、 硅片水平運行，機片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）； 2、下料吸筆易污染硅片（等離子刻蝕去PSG后甩干）； 3、傳動滾軸易變形（PVDF，PP材質且水平放置易變形）； 4、成本高（化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
弘塑刻蝕系統共享應用
儀器名稱：刻蝕系統儀器編號：04009242產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：NitrideEtch出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,13