復合半導體納米線成功整合在硅晶圓上
據美國物理學家組織網11月9日報道，美國科學家開發出一種新技術，首次成功地將復合半導體納米線整合在硅晶圓上，攻克了用這種半導體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關鍵挑戰。他們表示，這些細小的納米線有望帶來優質高效且廉價的太陽能電池和其他電子設備。相關研究發表在《納米快報》雜志上。 III—V族化合物半導體指元素周期表中的III族與V族元素結合生成的化合物半導體，主要包括鎵化砷、磷化銦和氮化鎵等，其電子移動率遠大于硅的電子移動率，因而在高速數字集成電路上的應用比硅半導體優越，有望用于研制將光變成電或相反的設備，比如高端太陽能電池或激光器等。然而，它們無法與太陽能電池最常見的基座硅無縫整合在一起，因此，限制了它們的應用。 每種晶體材料都有特定的原子間距——晶格常數(點陣常數)，III—V族半導體在制造太陽能電池的過程中遭遇的最大挑戰一直是，這種半導體沒有同硅一樣的晶格常數，它們無法整齊地疊層堆積在一起。該研究的領導者......閱讀全文
復合半導體納米線成功整合在硅晶圓上
據美國物理學家組織網11月9日報道，美國科學家開發出一種新技術，首次成功地將復合半導體納米線整合在硅晶圓上，攻克了用這種半導體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關鍵挑戰。他們表示，這些細小的納米線有望帶來優質高效且廉價的太陽能電池和其他電子設備。相關研究發表在《納米快報》雜志上。 III—
基于銅納米線/氧化亞銅的新型半導體液結太陽能電池制備
我們研制了一種基于銅納米線/氧化亞銅的新型半導體-液結太陽能電池。由于采用了銅納米線透明電極取代FTO，可以使電池成本大大降低，而且該電池的性能較文獻報道的氧化亞銅半導體-液結電池有了很大提升。銅納米線在該電池中不僅起透明電極的作用，而且作為銅納米線/氧化亞銅同軸結構一部分，可以大大促進氧化亞銅
納米線技術能將太陽能電池效率翻倍
挪威科技大學（NTNU）研究小組開發了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。 新技術主要開發者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新方
納米線技術可將太陽能電池效率翻倍
挪威科技大學（NTNU）研究小組開發了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。 新技術主要開發者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新
納米線技術能將太陽能電池效率翻倍
挪威科技大學（NTNU）研究小組開發了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。 新技術主要開發者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新
半導體所在銻化物納米線研究中取得系列進展
III-V族半導體納米線憑借其獨特的準一維結構和物理特性在納米晶體管、納米傳感器和納米光電探測器等方面有著重要潛在應用，是當前國際研究的熱點。特別是，三元合金InAsSb納米線除了具有超高的載流子遷移率和極小的有效質量外，其可調的帶隙以及電、光學性能使其成為紅外探測器的理想材料。目前，國際上廣泛
低成本也能造出高質量納米線太陽能電池
太陽能電池有望成為人類絕對清潔且取之不盡用之不竭的能源，然而，要想做到這一點，需要滿足三個條件：便宜的制造元件;廉價且能耗低的制造方法;高轉化效率。據美國物理學家組織網近日報道，現在，美國科學家研制出了一種廉價制造高質量的納米線太陽能電池的新技術，相關研究發表于《自然·納米技術》雜志上。
太陽能電池材料硒化錫納米線化學合成研究獲進展
太陽能電池材料硒化錫納米線化學合成研究取得進展 中科院大連化學物理研究所潔凈能源國家實驗室太陽能研究部、催化基礎國家重點實驗室分子催化與原位表征研究組（503組）李燦院士、張文華研究員領導的小組在太陽能電池新材料硒化錫（SnSe）的合成研究中取得進展。 硒化錫是一種重要的IV-V
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
北大徐洪起教授參與InP納米線太陽能電池研究
每日光伏新聞日前對瑞典隆德大學研制出效率13.8%的磷化銦(InP)納米線太陽能電池進行了報道，根據北京大學消息，該校物理電子學研究所“千人計劃”教授徐洪起與瑞典、德國的科學家共同參與了這一研究合作，在采用外延生長III-V族半導體納米線技術制作高性能光伏器件的研究上獲得重要進展。 該研究
化合物半導體材料的概念
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的性質
多數化合物半導體都含有一個或一個以上揮發性組元，在熔點時揮發性組元會從熔體中全部分解出來。因此化合物半導體材料的合成、提純和單晶制備技術比較復雜和困難。維持熔體的化學計量比，是化合物半導體材料制備的一個重要條件。
化合物半導體材料的種類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物半導體材料的應用
化合物半導體材料已廣泛應用：在軍事方面可用于智能化武器、航天航空雷達等方面，另外還可用于手機、光纖通信、照明、大型工作站、直播通信衛星等商用民用領域 。
化合物半導體材料的分類
化合物半導體材料種類繁多，性質各異，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體及其固溶體材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體(SiC)和氧化物半導體(Cu2O)等。它們中有寬禁帶材料，也有高電子遷移率材料；有直接帶隙材料，也有間接帶隙材料。因此化合物半導體材料比起元素半導體來，有更廣泛的用途。
化合物半導體材料的定義
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
研究實現人工光合作用高效穩定制氫
近日，中國科學技術大學教授孫海定、熊宇杰團隊聯合武漢大學劉勝院士團隊，通過創新設計一種晶圓級可制造的新型硅基氮化鎵納米線光電極結構，實現了高達10.36%的半電池太陽能制氫效率，并在高電流密度下穩定產氫超過800小時，首次將光電極使用壽命從小于100小時的“小時級”推進至“月級”，成功突破傳統光電制
關于納他霉素的化合物簡介
一、納他霉素的基本信息 化學式：C33H47NO13 分子量：665.725 CAS號：7681-93-8 EINECS號：231-683-5 二、納他霉素的理化性質 沸點：952.2℃ 閃點：529.7℃ 外觀：近白色或奶油黃色結晶性粉末 溶解度：幾乎不溶于水，微溶于甲醇，溶
生物基平臺化合物首次成功制備金剛石納米線
金剛石納米線是一種一維的金剛石基納米碳材料，具有與碳納米管相媲美的強度，但其應用一直受限于產物結構的無序性。近日，北京高壓科學研究中心研究人員以生物基平臺化合物脫水粘酸（2,5-呋喃二甲酸）作為反應單體，首次在高溫高壓條件下合成了具有原子級有序結構的金剛石納米線，并發現其可用作鋰離子電池材料。該研究
半導體所在GaAs納米線結構相變研究方面取得新進展
最近，國際期刊《納米快報》（Nano Latters）報道了中科院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室趙建華研究員和博士研究生俞學哲關于通過三相線位移（triple phase line shift）調控GaAs納米線結構相變的研究成果。 作為傳統的III-V族半導體，GaAs體材料的穩
化學所利用半導體納米線同質結實現光學分波器
光學分波器是納米光子回路中的關鍵元件，可以用來連接納米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信號傳感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、檢測器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
化合物半導體材料的組成介紹
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物，并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
化合物半導體材料的材料優勢
化合物半導體集成電路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗輻射。以GaAs為例，通過比較可得：1.化合物半導體材料具有很高的電子遷移率和電子漂移速度，因此，可以做到更高的工作頻率和更快的工作速度。2.肖特基勢壘特性優越，容易實現良好的柵控特性的MES結構。3.本征電阻率高，為半絕緣襯底。電路工藝中便
化合物半導體材料的制備方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制備化合物半導體單晶，用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等制備它們的薄膜和超薄層微結構化合物材料。
硅納米線將繪電子器件新版圖
雖然我國目前已經初步實現了硅納米晶體管、傳感器等納米器件的部分功能，但是離納米器件的大規模集成還有相當大的距離。 美國斯坦福大學研究人員已經研發出用硅納米線制成的“紙電池”。 當全世界的科學家一窩蜂地關注碳納米管時，殊不知，另一種一維納米材料硅納米線同樣能給人帶來意想不到的驚喜。
上海技物所在半導體單納米線光電特性研究方面取得進展
近年來，半導體納米線因為其準一維的結構特征，在能源、生物、微電子、微機械等眾多領域受到廣泛的關注。特別是以納米線作為功能材料的光電器件，如光電探測器、太陽能電池等已經展現出一定的優勢。在光電轉換的核心要素中，納米線由于陷光效應可以在低占空比條件下實現高效光吸收，而其中的電子(空穴)遷移率等也逐漸
科學家采用納米線助力車用氫燃料電池
目前的車用太陽能電池板不僅笨重，而且也無法為汽車提供足夠的電力，大大限制了太陽能在汽車領域“大顯身手”的潛力。荷蘭科學家采用磷化鎵納米線網格，利用太陽能將水分解成氫氣和氧氣，生成的氫燃料電池可以為汽車供電，標志著太陽能汽車又前進了一大步。相關論文發表在《納米·通訊》雜志上。 代爾夫特理工大學
4.16電子伏特！新型硅帶隙創世界紀錄
美國東北大學科學家主導的國際科研團隊發現了一種新形式的高密度硅，并開發出一種新型可擴展的無催化劑蝕刻技術，能將這種硅制成直徑為2—5納米的超窄硅納米線。這一成果發表于最新一期《自然·通訊》雜志，有望給半導體行業帶來革命性變化，還有望應用于量子計算等領域。 十年前，東北大學研究人員在實驗中發現了