一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（五）
免除刷新VLT內存單元最明顯的優點之一就是不需要刷新。不過，刷新已經成為DRAM作業的一部份了；無論內存處于閑置狀態或是被接通，都必須進行刷新操作，以避免數據丟失。完整的DDR控制器狀態機說明了刷新對于運作的影響，如圖9所示，所有紅色的狀態都與刷新或者基于刷新的分支相關；而使用了VLT技術，這些狀態都是冗余的，而且能夠被消除。圖9：傳統DRAM建置的LPDDR4狀態原理圖，與刷新有關的狀態以及與基于刷新的有關分支狀態都被標注為紅色，標注為灰色的狀態則與接口相關。圖10則是一種簡化的狀態機，其中與刷新有關的狀態都已經移除了。在設計基于VLT的內存時，設計者可以選擇現有的DDR控制器，因應那些不需要的狀態加以調整；也可以設計優化的DDR控制器，省去所有與刷新相關的電路——這種方法將占用更小的芯片面積，以及降低功耗。無論選擇哪一種控制器，都不會影響其他系統與內存芯片的互動。圖10：移除與刷新相關狀態后的LPDDR4狀態原理圖結語VLT......閱讀全文
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（五）
免除刷新VLT內存單元最明顯的優點之一就是不需要刷新。不過，刷新已經成為DRAM作業的一部份了；無論內存處于閑置狀態或是被接通，都必須進行刷新操作，以避免數據丟失。完整的DDR控制器狀態機說明了刷新對于運作的影響，如圖9所示，所有紅色的狀態都與刷新或者基于刷新的分支相關；而使用了VLT技術，這些狀態
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（四）
VLT內存單元Kilopasss的全新內存單元基于一種垂直分布的閘流體（也被稱為半導體控制整流器，或SCR）。這種采取pnpn結構的堆棧建構于一個p－阱上，可帶走來自底部n型層的任何空洞。圖6：VLT內存單元：帶有寫入輔助的PMOS晶體管的閘流體在淺溝槽隔離（STI）結構中植入一個埋入式字符
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（三）
LPDDR的運作LPDDR4功能本質上包含四項基本操作：啟動、讀取、寫入和預充電。這些操作的其他變異形式，如突發讀取／寫入和自動預充電等，可能構成一個更長的指令列表，但并不至于帶來新的技術挑戰。此外，它還添加了刷新、訓練和模式緩存器作業等維護性指令，以因應復雜的操作命令。這些基本的操作簡要介
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（二）
1、半導體產業，設計和制造哪個難度大？制造難度更大些。●?現在兼顧設計和制造的公司比較少；●?只做設計公司很多，一般成為fabless，擁有電腦、軟件和設計工程師就可以完成設計，輸出設計后交由光罩廠、晶圓流片代工廠、封測廠生產器件。●?只做制造的成為fab廠，門坎較高，一條8英寸晶圓流片生產
一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元（一）
垂直分層閘流體（Vertical Layered Thyristor；VLT），是Kilopass研發出的新型內存單元，能夠顯著降低動態隨機存取內存（DRAM）的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元，無需刷新操作；兼容于現有晶圓廠的制造設備，也無需任何新的材料或工藝。相較于一般的DRAM，VLT
英特爾3D－XPoint內存封裝逆向
TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術的英特爾Optane內存之制程、單元結構與材料持續進行深入分析與研究。英特爾(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態內存技術。2016年，英特爾發布采用3D XPoin
基于內存計算技術的人工智能芯片問世
通過改變計算的基本屬性，美國普林斯頓大學研究人員日前打造的一款專注于人工智能系統的新型計算機芯片，可在極大提高性能的同時減少能耗需求。 該芯片基于內存計算技術，旨在克服處理器需要花費大量時間和能量從內存中獲取數據的主要瓶頸，通過直接在內存中執行計算，提高速度和效率。芯片采用了標準編程語言，在依
存內計算，未來智能技術發展必經之路
存內計算由于突破傳統馮·諾依曼架構瓶頸，實現了存儲單元與邏輯單元的融合，成為實現智能計算的主要技術路線之一，受到業界龍頭大廠的高度重視。在近日召開的國際固態半導體電路會議（ISSCC）上，SK海力士發表了基于GDDR接口的DRAM存內計算，臺積電共發表（或合作發表）6篇有關存內計算存儲器IP的論文。
新型內存可在300℃高溫下工作
電子內存設備的性能會隨著溫度的升高而下降，但美國科學家提出了一種新的內存設計，卻需要在超過600開（約327℃）高溫下工作。這種納米熱機械存儲器（Nano ThermoMechanical memory）利用熱而非電，來記錄、存儲和恢復數據，未來有望應用于空間探索任務、深井鉆探、內燃機等多個領域
IBM相變存儲技術實現每單元存3比特數據－成本接近閃存
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
基于粘附力的新型干細胞分離技術
近日，美國佐治亞理工學院、ARUNA生物醫學公司以及密歇根大學等機構的研究人員開發出了一種名為μSHEAR（micro stem cell high-efficiency adhesion-based recovery）的新型干細胞分離技術，這一技術依據的是細胞間容易區分的粘附力物理差異。相關研
新型計算機內存大幅減少能耗
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503686.shtm
阿里達摩院成功研發存算一體AI芯片
達摩院存算一體芯片實拍圖。達摩院供圖 12月3日，阿里巴巴達摩院（以下簡稱達摩院）宣布，該院已成功研發存算一體人工智能（AI）芯片。達摩院介紹，該存算一體芯片集成了多項創新技術，是全球首款使用“混合鍵合3D堆疊技術”實現存算一體的芯片。這一新型架構芯片的誕生，將有望助力存算一體技術從概念走向落地。
基于微波光子技術的構架和路線探討－（五）
多數微波光子濾波器的原理是基于線性系統的數字信號處理理論，輸出微波信號可以表示為每一路經過延時 T 的輸入微波信號的疊加，滿足如式(3) ? 其中， N 為抽頭數(采樣數),為抽頭系數。為系統的沖擊響應，其可視為 1 個離散時間信號，對其進行離散時間傅里葉變換可得此類微波光
一文讀懂21世紀的新型疫苗技術
疫苗開發的新方法包括基于結構的免疫原設計，基于基因的疫苗平臺以及具有有效佐劑的重組抗原制劑。這些技術在開發針對全球重要疾病（例如結核病，流感和呼吸道合胞病毒）的疫苗方面取得令人鼓舞的結果。在這里，我們重點介紹了過去 18 個月中這些領域中最重要的發展。圖片來源于網絡 最成功的疫苗能夠針對引起個
一文了解微區XRF，及基于SEM的微區XRF技術
X射線熒光（XRF）是一種用于測定材料元素和涂層系統特性的分析方法，具有悠久的歷史，在許多實驗室都有應用。傳統上，XRF分析大面積或體積的樣品。在制備過程中，往往需要對樣品材料進行變形和破壞，即制備過程是破壞性的。但很多樣品需要在無損的情況下進行檢測。這意味著需要將完整的樣品放置在儀器中，不可能
基于新型基體的代謝分析
圖1.? MALDI-MS 方法的功能原理。 Max-Planck化學經濟研究所與布拉格捷克科學院的研究人員共同發展了一種新的理論，據此可以從動、植物的組織樣品出發，對其新陳代謝產物如脂肪酸、氨基酸、糖或者其他一些有機物進行快速和可靠的檢測。該法基于經典的質譜分析（MALDI-TOF
分子蒸餾系統工作知識通解
分子蒸餾是一種特殊的液--液分離技術，它不同于傳統蒸餾依靠沸點差分離原理，而是靠不同物質分子運動平均自由程的差別實現分離。 當液體混合物沿加熱板流動并被加熱，輕、重分子會逸出液面而進入氣相，由于輕、重分子的自由程不同，因此，不同物質的分子從液面逸出后移動距離不同，若能恰當地設置一塊冷凝板
半導體的3D時代（五）
DRAM前沿DRAM的電容器結構是高深寬比的“ 3D”器件，與當前的邏輯器件類似，DRAM沒有通過堆疊有源元件進行微縮。圖12在頂部表中按公司列出了DRAM節點，在圖底部是一些關鍵結構圖。圖12． DRAM節點。隨著DRAM節點前進到低于4x nm的水平，具有埋入式字線的埋入式鞍形鰭訪問晶體管開
TPU將成深度學習的未來？（一）
在Google I/O 2016的主題演講進入尾聲時，谷歌的CEO皮采提到了一項他們這段時間在AI和機器學習上取得的成果，一款叫做Tensor Processing Unit（張量處理單元）的處理器，簡稱TPU。在這個月看來，第一代的TPU處理器已經過時。在昨天凌晨舉行的谷歌I/O 2017
科學家提出一種單質新原理開關器件
中國科學院上海微系統與信息技術研究所宋志棠、朱敏研究團隊在集成電路存儲器研究領域獲重大進展，成功研制出一種單質新原理開關器件，為海量三維存儲芯片提供了新方案。這項研究成果12月10日發表于《科學》。 集成電路是我國的戰略性、基礎性和先導性產業，其中存儲芯片是集成電路的三大芯片之一，直接關系到國
波通公司新型漿狀液體檢測單元面市
波通儀器公司推出DA7200近紅外分析系統新型檢測配件-漿狀液體檢測單元。此檢測單元可6秒鐘分析漿狀液體的多種參數。清理簡單，溫水沖洗即可。無故障，檢測漿狀和其它粘稠液體的準確度高。 可用于所有DA7200分析儀，無需硬件的改進。
新型的基于激光熱效應的纖維內微粒精確操控技術
近年來，基于多功能纖維材料科技的快速發展，更多種類的纖維具備了傳感、光電轉換、能量收集及儲存等功能。隨著對織物類可穿戴電子產品需求的不斷增加，多功能纖維狀器件與智能纖維織物為其提供了一種新的解決方案。但目前柔性纖維內部各種功能材料的精確高效定位、連接與組裝等難題，阻礙了纖維器件的大規模應用。
文斐：研究解決大型語言模型的存儲瓶頸問題
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497858.shtm“由于半導體器件的物理限制，摩爾定律已經難以為繼；今后計算機芯片的效率提升將主要來源于體系架構的創新。”華南理工大學計算機科學與工程學院原院長、廣東省計算機學會理事長韓國強對《中國科學
新型T細胞療法有望清除人體內存留的HIV病毒？
抗逆轉錄病毒療法（ART）革命性地改變了對艾滋病（AIDS）病原體HIV的治療，但一度致命的艾滋病仍不能被治愈。HIV不能被徹底清除的主要障礙，是由于HIV的潛伏感染細胞所構成的潛伏儲庫(reservoir)的存在。處于潛伏狀態的HIV多以cDNA的形式整合至宿主基因組中，不易受到高效ART藥物
新研究厘清憶阻器工作時的內部變化
據美國計算機世界網站5月16日報道，惠普公司的科學家在憶阻器的研發上取得新突破，他們弄清楚了憶阻器在電操作期間，其內部的化學性質和結構變化，借此可以改進現有憶阻器的性能。相關研究發表在16日出版的《納米技術》雜志上。 憶阻器是一種有天然記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變
淺析SRAM和DRAM的真正區別（一）
隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM 逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器（SRAM）由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。近年來SRAM在改善系統性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。下面EEworld就帶你詳細了解一下到底什
淺析SRAM和DRAM的真正區別（二）
SRAM如何運作剛才總結到了SRAM有著很特別的優點，你該好奇這家伙是怎樣的運作過程？一個SRAM單元通常由4－6只晶體管組成，當這個SRAM單元被賦予0或者1的狀態之后，它會保持這個狀態直到下次被賦予新的狀態或者斷電之后才會更改或者消失。SRAM的速度相對比較快，且比較省電，但是存儲1bi
淺析SRAM和DRAM的真正區別（三）
AI 、5G渴望新內存材料的支持對于所有類型的系統設計者來說，新興存儲技術都變得極為關鍵。AI和物聯網IoT芯片開始將它們用作嵌入式存儲器。大型系統已經在改變其架構，以采用新興的存儲器來替代當今的標準存儲器技術。這種過渡將挑戰行業，但將帶來巨大的競爭優勢。今天，業界仍在尋找通用存儲器，隨著S
慢速內存和快速內存可“合二為一”
本報訊據美國物理學家組織網1月20日報道，美國北卡羅萊納州立大學研究人員開發出一種新器件，該技術被認為是計算機內存研發領域取得的重大進步，將使大規模服務器群更節能，并使計算機的啟動變得更快。 計算機存儲器件傳統上具有兩種類型。慢速內存器件通常被用于諸如閃存這樣的持久性數據存