如何在電漿蝕刻制程中控制晶圓的制程均勻度？
為了達成良率與元件效能需求，控制制程變異性，取得可重復的穩定結果是非常重要的。隨著技術節點的進展，以及設計規則的改變，業界需要更嚴格的制程控制。有許多因素會造成變異性，所有的案例一般可歸納為：在晶粒中、晶圓、晶圓到晶圓、以及腔體到腔體。 通常，晶圓變異只能低于整體變異性的三分之一。例如，在14奈米節點，閘極關鍵尺寸(CD)的允許變異值為低于2.4奈米，其中晶圓變異只能允許約0.84奈米。在5奈米節點，晶圓的允許變異值低于0.5奈米，這相當于2到3個矽晶原子的大小。在本文中，我們將討論如何在電漿蝕刻制程中控制晶圓的制程均勻度，此技術在業界的演進，以及其他的重要議題。 達成均勻度有難度 蝕刻腔體設計再進化 在蝕刻制程中控制均勻度的主要挑戰，在于電漿組成粒子的復雜度。若要達到滿意的蝕刻結果(即對不同選擇比的薄膜材料經過蝕刻后的結構剖面)，需要管理不同離子與中子的比例(如Ar+、C4F8、C4F6+、O、O2+)。因為......閱讀全文
如何在電漿蝕刻制程中控制晶圓的制程均勻度？
為了達成良率與元件效能需求，控制制程變異性，取得可重復的穩定結果是非常重要的。隨著技術節點的進展，以及設計規則的改變，業界需要更嚴格的制程控制。有許多因素會造成變異性，所有的案例一般可歸納為：在晶粒中、晶圓、晶圓到晶圓、以及腔體到腔體。 通常，晶圓變異只能低于整體變異性的三分之一。例如
能力驗證控制程序
一、目的 為了保證檢測結果的有效性，規范檢測試驗中心開展的能力驗證和比對試驗活動，補充內部質量控制程序中的控制手段，特制定本程序。?二、范圍 ?本程序適用于檢測試驗中心參加能力驗證活動、開展實驗室比對。?三、定義 無?四、職責 4.1?技術負責人：根據CNAS的要求，組織制定能力驗證和比對試驗活動計
一文讀懂IC設計/晶圓/納米制程/封裝都是啥？（一）
大家都是電子行業的人，對芯片，對各種封裝都了解不少，但是你知道一個芯片是怎樣設計出來的么？你又知道設計出來的芯片是怎么生產出來的么？看完這篇文章你就有大概的了解。 復雜繁瑣的芯片設計流程 芯片制造的過程就如同用樂高蓋房子一樣，先有晶圓作為地基，再層層往上疊的芯片制造流程后，就可產出必
一文讀懂IC設計/晶圓/納米制程/封裝都是啥？（二）
納米制程是什么？ 三星以及臺積電在先進半導體制程打得相當火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機以爭取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭，然而 14 納米與 16 納米這兩個數字的究竟意義為何，指的又是哪個部位？而在縮小制程后又將來帶來什么好處與難題？以下我們將就納米制程
核酸提取和純化控制程序
核酸提取和純化控制程序 1. 目的：規定DNA和RNA核酸樣本提取和純化實驗應遵守的操作。 2. 適用范圍：生物樣本提取DNA和RNA核酸，并包括對核酸樣品的長期保存。 3. 基本定義和術語： DNA，脫氧核糖核：基因組DNA構成了生物體的完整遺傳信息。幾乎所有生物體的基
PFA花籃6寸可承載25pcs硅片特氟龍立式放置晶圓盒可定制無溶出與析出
A花籃（PFA wafer Cassette）?又名?清洗花藍 ，特氟龍卡匣 ，?特氟龍晶舟盒 ，特氟龍晶圓盒為承載半導體晶圓片/硅片的容器，耐酸耐堿耐腐蝕(強酸、強氟酸、強堿)，能做激光雕刻，能夠安裝RFID。保持載體和物料的跟蹤。主要用于半導體蝕刻部門之酸堿制程中使用、傳送晶圓。我司PFA花籃，
酶制劑在黃酒制程中的作用
黃酒生產中添加的酶制劑主要有淀粉酶、糖化酶、蛋白酶等其他酶制劑。現將糖化酶在黃酒生產中的應用作一介紹。一、工藝流程淋飯酒母→麥曲、糖化酶→原料→浸米→淋米→蒸米→攤晾→落缸發酵→喂飯→后發酵→壓榨→酒糟。二、主要技術參數采用傳統工藝，淋飯酒母，純種麥曲，大罐發酵。1.糖化酶的使用量。淋飯酒母和喂飯發
鋰離子電池控制程序的介紹
單個鋰離子電池和完整鋰離子電池的充電程序略有不同。 單個鋰離子電池分兩個階段充電： 1、恒流(CC)。 2、恒壓(CV)。 鋰離子電池（一組串聯的鋰離子電池）分三個階段充電： 1、恒流。 2、平衡（電池平衡后不需要）。 3、恒壓。 在恒流階段，充電器以穩定增加的電壓向電池施加恒流
ELISA質量控制室內質量控制程序
臨床檢驗的檢測結果，每次或每天之間不可能沒有誤差。決定允許的誤差范圍，以臨床上不造成誤診與漏診為準，通過以下步驟來確定質控范圍。一、最佳條件下的測定誤差最佳條件下已知值質控血清變異（optimal conditio variance,簡稱OCV）的測定：在本實驗室最佳條件下（包括操作者、試劑、儀器等
半導體設備常見類型和分類
作為芯片領域的核心推動力，半導體設備在晶圓制造、封裝測試、質量控制和制程過程中扮演著不可替代的角色。以下是一些常見的半導體設備，這些是半導體設備中的一些常見類型，它們共同構成了半導體制造過程中不可或缺的組成部分。一、晶圓制造設備晶圓制造設備是半導體制造過程中的核心設備之一。它包括光刻機、薄膜沉積設備
解析先進半導體制程未來可能面臨的挑戰及解決辦法2
隨著線寬的微縮，對于黃光微影與蝕刻的挑戰當然不在話下，曝光顯影的線寬一致性（Uniformity），光阻材料（Photo Resist，PR）的選擇，都將會影響到后續蝕刻的結果。蝕刻后導線的線邊緣粗糙度（Line Edge Roughness，LER），與導線蝕刻的臨界尺寸（Critic
SPOS技術在半導體CMP制程中的應用
膠體混懸液與分散體有著十分廣泛應用領域，而決定這些體系質量和穩定性的重要因素就是其內部的粒徑分布，因而準確掌握這些體系的粒徑分布特征就能確保其在廣泛領域的成功應用。相對于一些整體檢測技術，如：激光衍射技術與超聲衰減技術，單粒子光學傳感技術?(Single Particle Optical Sensi
ELISA試劑盒室內質量控制程序
ELISA試劑盒室內質量控制誤差：① 條件下的測定誤差。② 已知值的血清在常規檢驗條件下的誤差。③ 未知值的血清在常規檢驗條件下的誤差。④ 臨床應用的要求。ELISA試劑盒室內質量控制程序：1）確定控制的對象。2）規定控制對象的標準（預期值）。3）制定或選擇控制方法和手段。4）測量實際數據。5）比較
實驗室設施和環境條件控制程序
1.?實驗室位于醫院的適宜位置或樓層，便于病人識別、前往，便于與相關醫護人員協調工作。2. 夜間急診處設發光指示。3. 實驗室應設等候區域，配備一定的服務設施，盡量使病人感到舒適和安慰。4. 實驗室設采樣區域和采樣窗口，應使病人感到舒適和安全。5. 實驗室應設無障礙通道或特殊操作區域，便于為有特殊要
半導體生產流程
半導體生產流程?所謂的半導體，是指在某些情況下，能夠導通電流，而在某些條件下，又具有絕緣體效用的物質；而至于所謂的IC，則是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進而
解析先進半導體制程未來可能面臨的挑戰及解決辦法1
7奈米制程節點將是半導體廠推進摩爾定律（Moore’s Law）的下一重要關卡。半導體進入7奈米節點后，前段與后段制程皆將面臨更嚴峻的挑戰，半導體廠已加緊研發新的元件設計構架，以及金屬導線等材料，期兼顧尺寸、功耗及運算性能表現。 臺積電預告2017年第二季10奈米芯片將會量產，7奈米制程的量產
解析：半導體nm制程指的是哪里？
半導體制程指的是MOS管實際制造結束時的柵級引線寬度，也就是柵級多晶硅的寬度。 當然，實際中源極和漏極會有少量延伸到柵級下面，所以源極和漏極的實際分隔距離小于柵級寬度。這個有效分開距離被稱為有效溝道長度，對晶體管而言是最重要的參數。不過這個參數很難測量，所以一般直接用柵級引線寬度來
高壓碳化硅解決方案：改善4HSiC晶圓表面的缺陷問題2
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
詳解芯片的設計生產流程（三）
分層施工，逐層架構知道 IC 的構造后，接下來要介紹該如何制作。試想一下，如果要以油漆噴罐做精細作圖時，我們需先割出圖形的遮蓋板，蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上，待油漆乾后，再將遮板拿開。不斷的重復這個步驟后，便可完成整齊且復雜的圖形。制造 IC 就是以類似的方式，藉由遮蓋
半導體乍暖還寒－降價潮席卷晶圓代工廠
半導體晶圓代工降價潮開始從二線廠向一線蔓延，從成熟制程向先進制程擴散。 臺積電7nm制程降價，降幅5%-10%左右，以緩解產能利用率下滑的狀況。 此前曾有消息指出，臺積電明年將針對部分成熟制程恢復價格折讓，折讓幅度在2%左右，但當時代工價格并未調降，價格折讓主要是在光罩費用折抵，本次的7nm
臺積電擴廠典禮引發民眾焦慮，美國高興壞了
12月26日消息，近期臺積電宣布擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”疑慮。據中國臺灣媒體報道，臺積電將于12月29日舉行3nm量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。 根據臺積電發出活動通知顯示，預計將于12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地
臺積電－2nm－制程報價直逼－2.5－萬美元，新品價格持續走高
IT之家 6 月 27 日消息，據臺媒《電子時報》援引 IC（集成電路，即芯片行業 / 半導體行業）從業者報道表示，當前臺積電 2nm 制程業務已經與廠商展開合作洽談，盡管半導體產業目前處于逆風，臺積電仍然維持強勢狀態。 業內人士稱，在 3nm 制程報價維持 2 萬美元上下的同時，將于 20
面粉水分控制程度對成品質量的影響水分儀完勝
小麥水分含量的高低是影響面粉品質的一個重要的因素，在小麥粉的研磨制作過程中，小麥水分調節是制粉工藝中一道非常重要的工序。合理的調整小麥水分含量，可以進一步的提升小麥粉的面粉質量。小麥水分過低，不僅會使粉廠遭受損失，還會使小麥皮層易破碎，細小麩屑混入面粉，使面粉粉色下降，質量變次。小麥水分過高，會使制
面粉水分控制程度對成品質量的影響水分儀完勝
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陶氏化學工廠爆炸－牽動半導體關鍵耗材生產
陶氏化學美國路州廠在美國時間7月15日傳出爆炸起火事件，雖無人傷亡，惟該廠生產光刻膠、拋光墊／液等半導體關鍵耗材，主要供成熟制程晶圓制造使用，牽動業界神經，聯電、世界、力積電等中國臺灣晶圓代工成熟制程相關廠商密切關注后續發展，目前均評估不影響生產。 陶氏化學為全球半導體關鍵化學材料重要供應商，
涂膠顯影設備的前景
涂膠顯影設備是芯片制程中必不可少的處理設備，利用機械手實現晶圓在各系統間的傳輸和加工，與光刻機達成完美配合從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影等工藝過程。作為光刻機的輸入即曝光前光刻膠涂覆和輸出即曝光后圖形的顯影，涂膠顯影機的性能不僅對細微曝光處的形成造成直接影響，而且其顯影工藝的圖形質量和誤差
水滴角測量儀應用芯片半導體行業（晶圓wafer）的關鍵
半導體芯片行業特別是晶圓制程中對于清凈度的要求非常高，只有符合要求的晶圓才可視為合格品。作為測試等離子清洗效果評估的唯一手段，水滴角測量儀是評估晶圓品質的最有效的工具。2018年以來，中國的芯片行業得到了迅速發展，因而，對于水滴角的測試提出了更高要求。根據水滴角測試基本原理：固體樣品表面因本身存在的
晶圓切割設備——晶圓切割機的原理？
芯片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鉆石刀刃來進行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分開。由于系采用磨削的方式進行切割，會產生很多的小粉屑，因此 在切割過程中必須不斷地用
Newport用于晶圓和掩膜檢測的運動控制
Newport用于晶圓和掩膜檢測的運動控制 MKS 提供了多種高性能的、適用于晶圓檢測工具和其他運動控制應用的空氣軸承位移臺 , 經驗豐富的 MKS/Newport 應用工程師與 OEM 客戶合作，為正在開發的半導體制造過程提供專門的自動化運動控制解決方案，下文描述這些系統中用于提高精度和
離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋
記者29日從中國電子科技集團獲悉，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（以下簡稱電科裝備）已實現離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋，有力保障我國集成電路制造行業在成熟制程領域的產業安全。 據悉，離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備，28納米則是當前芯片應用領域中覆蓋面最廣的成熟制程。 電科裝備連