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  • 什么是荷電效應

    對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導電性不好的樣品,經常因為荷電嚴重而不能獲得俄歇譜.但由于高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發射作用,對于一般在100nm厚度以下的絕緣體薄膜,如果基體材料能導電的話,其荷電效應幾乎可以自身消除.因此,對于一般的薄膜樣品,一般不用考慮其荷電效應.......閱讀全文

    什么是荷電效應

    對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導

    什么是荷電效應

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    荷電效應的評價方法

    在掃描電鏡(SEM)中,通過記錄和實時處理電子束輻照樣品過程中產生的吸收電流La,評價非導電樣品的荷電效應.對于非導電樣品,La的絕對值很小,且變化幅度很大,這是電荷在非導電樣品表面被捕獲、積累和釋放過程的直接反映.此外,La還可用來評價荷電補償(改變環境壓力、改變成像參數及對樣品表面進行導電處理)

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    什么叫荷電校正?為什么需要進行荷電校正?

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    鋁焊墊俄歇分析中荷電效應影響及其降低方法

    鋁焊墊表面殘留物的檢測是確保鋁焊墊質量的重要指標。俄歇電子能譜儀(AES)由于檢測區域小、表面分析靈敏度高,被廣泛用于集成電路(IC)芯片制造中鋁焊墊的表面成分分析,但荷電效應的存在常常會影響俄歇分析的結果。鋁焊墊分析過程中,消除或者減少荷電效應是保證俄歇分析結果正確的前提。從優化俄歇電子能譜儀分析

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    XPS圖譜荷電校正

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