超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效應(GMR)，超巨磁阻材料亦被認為可應用于高容量磁性儲存裝置的讀寫頭。不過，由于其相變溫度較低，不像巨磁阻材料可在室溫下展現其特性，因此離實際應用尚需一些努力。......閱讀全文
超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效應（也稱龐磁阻效應）存在于具有鈣鈦礦(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻變化隨著外加磁場變化而有數個數量級的變化。其產生的機制與巨磁阻效應(GMR)不同，而且往往大上許多，所以被稱為“超巨磁阻”。 如同
巨磁阻的概念
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所謂巨磁阻效應，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生于層狀的磁性薄膜結構。這種結構是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的
磁阻效應的概念
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時,由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用,產生了磁阻效應。
常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)對所有非磁性金屬而言，由于在磁場中受到洛倫茲力的影響，傳導電子在行進中會偏折，使得路徑變成沿曲線前進，如此將使電子行進路徑長度增加，使電子碰撞機率增大，進而增加材料的電阻。磁阻效應最初于1856年由威廉·湯姆森，即后來的開爾文爵士發
異向磁阻的概念
異向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的變化，與磁場和電流間夾角有關，稱為異向性磁阻效應。此原因是與材料中s軌域電子與d軌域電子散射的各向異性有關。由于異向磁阻的特性，可用來精確測量磁場。
穿隧磁阻效應的概念
穿隧磁阻效應(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效應是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1納米)-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。此效應首先于1975年由MichelJulliere在鐵磁材料(Fe)與絕緣體材料(Ge)發現；室溫穿隧磁阻效應則于19
科學家揭示產生巨磁阻效應的全新物理機制
近日，記者從哈爾濱工業大學深圳校區了解到，該校教授陳曉彬團隊在磁隧道結領域中取得新進展，揭示了產生巨磁阻效應的全新物理機制。相關成果發表在《物理評論快報》上。 磁阻器件在磁傳感和數據存儲技術中應用廣泛，實現高磁阻是提高磁阻器件靈敏度的關鍵。半金屬材料僅有一種自旋通道，用于半金屬器件中可自然實現
磁阻效應的分類
若外加磁場與外加電場垂直，稱為橫向磁阻效應；若外加磁場與外加電場平行，稱為縱向磁阻效應。一般情況下，載流子的有效質量的馳豫時時間與方向無關，則縱向磁感強度不引起載流子偏移，因而無縱向磁阻效應。磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等常磁阻(OrdinaryMagnetor
單分子器件電子輸運通道調控及其巨磁阻效應研究獲進展
信息技術的成功發展離不開電子學器件的小型化。對器件小型化的追求促使了人們對單分子器件的研究和理解，以求最終實現以單分子為基本單元構筑電路。單分子器件已經成了在納米尺度研究各種有趣物理現象和機制的平臺。在原子尺度上對單個原子/分子的量子態實現精確操縱以及對其物性實現可控調制一直是凝聚態物理及其應用
中國科大在二維納米材料巨磁阻效應研究中取得進展
近日，中國科學技術大學謝毅教授團隊、吳長征教授課題組與曾曉成教授、中國科學院強磁場科學中心研究組合作，通過陰離子固溶技術實現了二維納米材料的自旋和能帶結構的本征調控，獲得了目前二維納米材料中最高的負磁電阻效應，該現象的發現有可能推動二維材料在自旋電子器件的進展。該成果發表在10月6日的Physi
磁阻效應的主要種類
磁阻效應主要分為：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，異向磁阻，穿隧磁阻效應等。
磁阻效應的應用
磁阻效應廣泛用于磁傳感、磁力計、電子羅盤、位置和角度傳感器、車輛探測、GPS導航、儀器儀表、磁存儲(磁卡、硬盤)等領域。磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、醫療器械、探礦等領域得到廣泛應用，如數字式羅盤、交通車輛檢測、導航系統、偽鈔檢別、位置測量等。其中最典型的銻化銦（I
基因超表達的概念
超表達是指目的基因的全長序列與高活性組成型啟動子或組織特異性啟動子融合，通過轉化，獲得該基因產物大量積累的植株。
磁阻效應的實驗原理
一定條件下，導電材料的電阻值R隨磁感應強度B的變化規律稱為磁阻效應。如圖1所示，當半導體處于磁場中時，導體或半導體的載流子將受洛侖茲力的作用，發生偏轉，在兩端產生積聚電荷并產生霍耳電場。如果霍耳電場作用和某一速度載流子的洛侖茲力作用剛好抵消，那么小于或大于該速度的載流子將發生偏轉，因而沿外加電場方向
磁阻效應的發展經歷
材料的電阻會因為外加磁場而增加或減少，則稱電阻的變化稱為磁阻（MR）。磁阻效應是1857年由英國物理學家威廉·湯姆森發現的，它在金屬里可以忽略，在半導體中則可能由小到中等。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直沖磁阻（BMR）和異常磁阻（EMR）。
什么叫做磁阻效應
1、磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義：是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時，由于受到電磁場的變化產生的洛倫茲力作用，產生了磁阻效應。2、霍耳傳感器它將霍耳元件固定于彈性敏感元件上，在壓力的作用下霍耳元件隨彈性敏
體細胞超變的概念
中文名稱體細胞超變英文名稱somatic hypermutation定 義在體細胞中出現的高頻突變。應用學科遺傳學（一級學科），細胞遺傳學（二級學科）
超氧陰離子的概念
超氧陰離子：人體內有一定數量的存在，不發生化學變化對人體無害，但與羥基（—OH）結合后的產物會導致細胞DNA損壞，破壞人類機體功能。中文名超氧陰離子外文名superoxide anion消除方法觀光木的葉片揮發油釋????義不發生化學變化對人體無害
2007年諾貝爾物理學獎揭曉
法德兩國科學家因發現巨磁電阻現象分享該獎?北京時間10月9日下午5點45分，2007年諾貝爾物理學獎揭曉，法國國家科學研究中心（CNRS）的物理學家Albert Fert和德國于利希研究中心的物理學家Peter Grünberg因發現巨磁電阻（Giant Magnetoresistance）現象而獲
超流體的概念和典型物質
超流體是一種物質狀態，特點是完全缺乏黏性。如果將超流體放置于環狀的容器中，由于沒有摩擦力，它可以永無止盡地流動。例如液態氦在2.17 K以下時，內摩擦系數變為零，液態氦可以流過半徑為十的負五次方厘米的小孔或毛細管，這種現象叫做超流現象(Superfluidity)，這種液體叫做超流體(Superfl
關于三氧化二鐵的磁性材料的應用介紹
磁性氧化鐵粒子由于其特殊的超順磁性，在巨磁電阻、磁性液體和磁記錄、軟磁、永磁、磁致冷、巨磁阻抗材料以及磁光器件、磁探測器等方面具有廣闊的應用前景。錄像磁帶一般使用針狀鐵或氧化鐵磁性超微粒，而納米氧化鐵是新型磁記錄材料。軟磁鐵氧體在無線電通訊、廣播電視、自動控制、宇宙航行、雷達導航、測量儀表、計算
理化所提出“超鋪展”概念
近日，中國科學院院士、中科院理化技術研究所研究員江雷和研究員田野團隊在Accounts of Chemical Research上，以Bioinspired superspreading surfaces: from essential mechanism to application為題，發表
石墨烯呈現創紀錄高磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498393.shtm 科技日報北京4月12日電 （記者張佳欣）據最新一期《自然》雜志上發表的論文，英國曼徹斯特大學研究人員報告了在環境條件下石墨烯中出現的創紀錄的高磁阻。 在磁場下能強烈改變電阻率
雙人超凈工作臺的概念介紹
實驗臺概念：是進行理化生實驗所需要使用的平臺。另有中央實驗臺、通風柜、藥品柜等。通風柜的主要功能：通風柜的功能中主要的是排氣功能，在化學實驗室中，實驗操作時產生各種有害氣體、臭氣、濕氣以及易燃、易爆、腐蝕性物質，為了保護使用者的安全，防止實驗中的污染物質向實驗室擴散，在污染源附近要使用通風柜，以往通
“超吸收”量子電池概念得到驗證
據近日發表在《科學進展》雜志上的論文，澳大利亞阿德萊德大學的研究人員及其海外合作伙伴在使量子電池成為現實的過程中邁出了關鍵一步。他們成功地證明了超吸收的概念，這是支撐量子電池的關鍵思想。 研究人員介紹說，超吸收是一種適用于量子技術的復雜科學理論，它表示一種量子集體
“超吸收”量子電池概念得到驗證
據近日發表在《科學進展》雜志上的論文，澳大利亞阿德萊德大學的研究人員及其海外合作伙伴在使量子電池成為現實的過程中邁出了關鍵一步。他們成功地證明了超吸收的概念，這是支撐量子電池的關鍵思想。? ? 研究人員介紹說，超吸收是一種適用于量子技術的復雜科學理論，它表示一種量子集體效應，分子狀態之間的轉變會
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（三）
五、TMR磁傳感器產品在各個領域中的實際應用TMR磁傳感器產品的應用非常廣泛，包括工業控制、金融器具、生物醫療、消費電子、汽車領域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高靈敏度。1、在流量計領域中，智能水表、智能熱量表一般都采用電池供電，因此對傳感器的功耗要求非常苛刻。當前水表方案采用干簧管、低功耗霍爾器
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（二）
5、抗干擾性——很多領域里傳感器的使用環境沒有任何評比，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括電子羅盤、金融磁頭等。（1）電子羅盤：大多數電路板產生的雜散磁場為地磁場的50倍以上；（2）金融磁頭：內部的各種電機產生的磁場的強度為磁性油墨磁場的50倍以上；（3）POS機磁頭：手機信號的磁場為磁頭磁場
隧道磁阻技術（TMR）及其應用簡介（一）
一、概述1、磁阻概念：材料的電阻會因外加磁場而增加或減少，電阻的變化量稱為磁阻（Magnetoresistance）。物質在磁場中電阻率發生變化的現象稱為磁阻效應。同霍爾效應一樣，磁阻效應也是由于載流子在磁場中受到洛倫茲力而產生的。從一般磁阻開始，磁阻發展經歷了巨磁阻（GMR）、龐磁阻（CMR）、異
完全抗原，半抗原和超抗原的概念區別
完全抗原：同時具有免疫原性和抗原性的抗原，又稱免疫原。半抗原：僅具備抗原性而無免疫原性的抗原，如某些寡糖、類脂和藥物等。超抗原：能非特異激活多克隆T細胞并能刺激其分泌大量細胞因子的抗原。