清華大學儀器共享平臺DRYTEK去膠設備(等離子光刻)
儀器名稱：去膠設備(等離子光刻)儀器編號：90175600產地：美國生產廠家：DRYTEK型號：MS-5出廠日期：199002購置日期：199003所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希有（010-62784044,13641166426,lxyou@mail.tsinghua.edu.cn）分類標簽：集成電路 微納加工 半導體工藝 刻蝕 等離子技術指標：PLASMA去膠知名用戶：王喆垚、任天令、劉澤文、吳華強、梁仁榮、潘立陽、王敬、許軍、鄧寧、錢鶴、伍曉明（微電子所） 尤政、朱榮、阮勇（精儀系）、羅毅（電子系）、姚文清（化學系）技術團隊：吳華強、伍曉明、劉朋、李希有、仲濤功能特色：刻蝕方式： PLASMA模式 主要刻蝕介質：正膠、負膠等. 刻蝕尺寸：4英寸及以下及切割片。選擇比、均勻性良好。樣品要求：單片式；硅片尺......閱讀全文
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻技術與納米光刻簡介
距離理查德·菲利普斯·費曼著名的演講“There’s plenty of room at the bottom”有將近60年歷史。在他的論文中，他曾問到：“我們怎么樣寫小？”在今天的科學技術研究中，仍有同樣的問題。雖然自上世紀60年代以來，科研技術已經大大進步，半導體行業中使用的線寬已經大幅度下
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
光刻法的功能介紹
如彩色濾光膜制作時顏料分散法和染色法采用的光刻法。它是將顏料或染料分散在感光膠中，通過掩膜曝光，被曝光部分感光膠聚合，變成非水溶性膠膜在顯影時留下，其余部分被沖洗掉，如此重復3次，形成三色彩色濾光膜。
光刻機是什么
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機的概述
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
激光刻劃的定義
中文名稱激光刻劃英文名稱laser grooving and scribing定 義利用聚焦后高能量密度的激光束，對被加工表面刻槽或劃線的方法。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光應用（三級學科）
光刻機是什么
1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。3、Photolithogra
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
佳能光刻機共享
儀器名稱：佳能光刻機儀器編號：80424600產地：日本生產廠家：日本型號：PLA-500出廠日期：198004購置日期：198004所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,1
光刻膠軟烘
軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性、釋放旋轉涂膠產生的內應力、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上。軟烘在真空熱板上進行，軟烘設備工作原理如圖2.17所示，硅片放在真空熱板上，熱量從硅片背面通過熱傳導方式加熱光刻膠。一般軟烘溫度為85~120℃，時間為30~60S。軟烘后將硅片轉
光刻機的種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片設計師將CPU的功能、結構設計圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統等物理結構的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又稱光罩，簡稱掩膜版），是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖
什么是光刻機
光刻機（Mask?Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大，全
光刻壟斷難解，技術難在哪？
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
手持光刻機如何使用
手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工藝是將掩膜版（光刻版）上的幾何圖形轉移到晶圓表面的光刻膠上。首先光刻膠處理設備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經過分步重復曝光和顯影處理之后，在晶圓上形
光刻機的曝光度
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面；2.硬接觸 是將基片
光刻機原理是什么
光刻機原理是什么，為何在我國如此重要？一臺EUV光刻機售價一億美金以上，比很多戰斗機的售價都要貴。先進的光刻機必須要用到世界上最先進的零件和技術，并且高度依賴供應鏈全球化，荷蘭的ASML用了美國提供的世界上最好的極紫外光源，德國蔡司世界上最好的鏡片和光學系統技術，還有瑞典提供的精密軸承。另外，為了給
激光刻劃的功能介紹
中文名稱激光刻劃英文名稱laser grooving and scribing定 義利用聚焦后高能量密度的激光束，對被加工表面刻槽或劃線的方法。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），激光器件和激光設備-激光應用（三級學科）
投影式光刻機簡介
投影式光刻機一般采用步進-掃描式曝光方法。光源并不是一次把整個掩模上的圖形投影在晶圓上，曝光系統通過一個狹縫式曝光帶（slit）照射在掩模上，載有掩模的工件臺在狹縫下沿著一個方向移動，等價于曝光系統對掩模做了掃描，與掩模的掃描同步，晶圓沿相反的方向以1/4的速度移動。現代光刻機中，掩模掃描的速度
光刻機有哪些品牌？
光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類： 高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常在十幾納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有7000萬美金的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其制造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠制
佳能光刻機共享應用
儀器名稱：佳能光刻機儀器編號：80424600產地：日本生產廠家：日本型號：PLA-500出廠日期：198004購置日期：198004所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,1
電工所科技前沿論壇“微光刻與電子束光刻技術”開講
從1958年世界第一塊平面集成電路到2012年04月24日英特爾在北京天文館正式發布核心代號為Ivy Bridge的第三代酷睿處理器—英特爾首款22納米工藝處理器，短短五十多年，微電子技術一直遵循著摩爾定律，發展勢頭迅猛。 針對微光刻與電子束光刻技術發展圖譜，7月6日，中科院微電子所陳
2024上海光刻膠展「2024中國大型光刻膠博覽會」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
光刻技術首次繪出銀納米結構
德國柏林亥爾姆茨材料和能源研究中心與聯邦材料測試與研究機構合作，首次在銀材料底層上完成光刻納米結構，為未來光計算機數據處理、新型電子器件制造開辟了新的途徑。這項成果刊登在美國化學學會的《應用材料和界面》雜志上。 要想在材料表面獲得精細結構圖樣，最佳選擇是采用電子顯微鏡掃描技術，利用電子束在其