二次離子質譜儀的質譜原理
Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一種基于質譜的表面分析技術，二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象（基本原理如圖1所示）。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面，在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程，包括一次離子散射及表面原子、原子團、正負離子的濺射和表面化學反應等，產生二次離子，這些帶電粒子經過質量分析分析后得到關于樣品表面信息的質譜，簡稱二次離子質譜。 通過質譜圖可以用來獲取樣品表面的分子、元素及同位素的信息，可以探測化學元素或化合物在樣品表面和內部的分布，也可以用于生物組織和細胞表面或內部化學成分的成像分析，配合樣品表面掃描和剝離（濺射剝離速度可以達到10微米/小時），還可以得到樣品表層或內部化學成分的三維圖像。二次離子質譜具有很高的靈敏度，可達到ppm甚至ppb的量級，還可以進行微區成分成像和深度剖面分析。......閱讀全文
二次離子質譜儀的質譜原理
Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一種基于質譜的表面分析技術，二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象（基本原理如圖1所示）。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面，在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程，包括一次離子散射及表面原子、原子
二次離子質譜的原理
??? 二次離子質譜是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子，通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。它利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加速并聚焦成細小的高能離子束轟擊樣品表
二次離子質譜的原理組成和結構
二次離子質譜Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)1 引言:離子探針分析儀，即離子探針（Ion Probe Analyzer，IPA），又稱二次離子質譜（Secondary Ion Mass Spectrum，SIMS），是利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加
二次離子質譜儀原理簡介
二次離子質譜儀原理簡介二次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）又稱離子探針（Ion Microprobe），是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子幵迚行質譜測定的儀器，可 以對固體或薄膜樣品迚行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜
二次離子質譜概述
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。 用一次離
二次離子質譜技術
海洋有機地球化學檢測方法二次離子質譜技術簡述 摘要：海洋有機地球化學是通過研究與還原性碳相關的物質來揭示海洋生態系的 結構、功能與演化的一門科學。由于其中的有機組分通常以痕量、復雜的混合物 形式存在，且是不同年齡、不同來源、不同反應歷史生源物質的集成產物，所以 總體分析困難較大。目前主要是從整體水平
二次離子質譜的特點
1.獲得樣品最表層1-3個原子信息深度信息； 2.可以檢測同位素，用于同位素分析 ； 3.達到ppm~ ppb級的探測極限。 4. 可以并行探測所有元素和化合物，離子傳輸率可以達到100%。 5.采用高效的電子中和槍，可以精確的分析絕緣材料。 6. 具有很小的信息深度（小于1nm）；可
二次離子質譜的結構
??? 近年來，二次離子質譜這一前沿的分析技術越來越多地被用在了科學研究當中，應用范圍較為廣泛。然而，依然有很多小白對二次離子質譜的基本結構不太了解。那么二次離子質譜的組成結構是怎樣的呢？都有哪些功能和特點？今天小編就來簡單盤點一下。? 二次離子質譜主要由三部分組成：一次離子發射系統、質譜儀、二次
二次離子質譜（SIMS）的原理特點和應用
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。
二次離子質譜（SIMS）的原理特點和應用
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。中文名 二次離子
質譜儀和質譜圖原理
? ? ? 化學、生物化學和物理學領域的各學科和分支學科的研究人員和專業技術人員通常會用到質譜分析。醫藥工業領域的工作人員在進行藥物發現和藥物開發時需要利用MS的特異性、動態范圍及其靈敏度，區分復雜基質中緊密相關的代謝物，從而鑒定并量化代謝物。尤其是在藥物的開發過程中，藥物需要進行鑒定、純化，確定早
二次離子質譜原理是什么？應用哪些方面？
二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。 在傳統的SIMS實驗中，高能一次離子束
飛行時間二次離子質譜共享
儀器名稱：飛行時間二次離子質譜儀器編號：13027664產地：德國生產廠家：ION-TOF GmbH型號：TOF.SIMS 5出廠日期：2012.5購置日期：201312所屬單位：化學系>分析中心>北京電子能譜中心放置地點：理科樓D-104固定電話：固定手機：固定email：聯系人：郭沖（010-6
二次離子質譜儀（SIMS）
二次離子質譜儀（SIMS）分析方法介紹美信檢測 失效分析實驗室 1.簡介?二次離子質譜儀（secondary ion mass spectroscopy，簡稱SIMS），是利用質譜法分析初級 離子入射靶面后，濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質譜儀分 析對象包括金屬及合金、半導
二次離子質譜儀簡介
二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。[1] 在傳統的SIMS實驗中，高能一次
二次離子質譜技術的分析和應用
二次離子質譜是一種具有超高分辨率和靈敏度的固體表面分析技術。它可以分析氫元素到鈾元素在內的所有元素和同位素，還可以得到固體表面官能團和分子結構等信息。SIMS可以分為靜態SIMS（SSIMS）和動態SIMS（DSIMS）兩種類型，通過不同掃描類型，得到二次離子質譜圖、化學成像、動態深度剖析曲線等
離子阱質譜和四極桿質譜的原理
四極桿（Quadrupole）：由四根帶有直流電壓（DC）和疊加的射頻電壓（RF）的準確平行桿構成，相對的一對電極是等電位的，兩對電極之間電位相反。當一組質荷比不同的離子進入由DC和RF組成的電場時，只有滿足特定條件的離子作穩定振蕩通過四極桿，到達監測器而被檢測。通過掃描RF場可以獲得質譜圖。四極
學者綜述二次離子質譜技術發展
近日，應《自然-綜述-方法導論》（Nature Reviews Methods Primers）的邀請，香港科技大學（廣州）教授翁祿濤與合作者共同撰寫了題為《二次離子質譜》（Secondary ion mass spectrometry）的綜述論文，同期還配發了導論總覽（PrimeView）對該論文
二次離子質譜可完成癌細胞分析
哥德堡大學（University of Gothenburg）進一步開發了二次離子質譜的應用，以幫助研究人員更好地檢測身體中的有害細胞。“該方法可以變得重要，例如對于乳腺癌組織的未來分析。”博士生Tina Angerer說。該方法可以被描述為首先通過在其處噴射氣體射彈從一片組織釋放分子和原子，然后使
二次離子質譜可完成癌細胞分析
分析測試百科網訊 哥德堡大學（University of Gothenburg）進一步開發了二次離子質譜的應用，以幫助研究人員更好地檢測身體中的有害細胞。 “該方法可以變得重要，例如對于乳腺癌組織的未來分析。”博士生Tina Angerer說。該方法可以被描述為首先通過在其處噴射氣體射彈從一片
3D成像——二次離子質譜技術
質譜成像技術能將基質輔助激光解吸電離質譜的離子掃描與圖像重建技術結合，直接分析生物組織切片，產生任意質荷比(m/z)化合物的二維或三維分布圖。其中三維成像圖是由獲得的質譜數據，通過質譜數據分析處理軟件自動標峰，并生成該切片的全部峰值列表文件，然后成像軟件讀取峰值列表文件，給出每個質荷比在全部質譜圖中
二次離子質譜儀組成介紹
SIMS主要包括一次離子源、進樣室、質量分析器、真空系統、數據處理系統等部分，對于絕緣樣品還配有電荷補償的電子中和槍，同時根據分析目的不同，還配有不同的離子源，常見的有氣體放電源（如O、Ar、Xe）、表面電離源（如Cs）、熱隙源（如C60）和液態金屬及團簇源（如Bin、Aun、Ga）等。 這是
二次離子質譜儀的發展歷史
自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史，自此以后，分子束的應用在二十世紀持續到二十一世紀，它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎，分子束用于濺射源是其中應用之一。 盡管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到，直到十九世紀四十年代，隨著真空技術的進步，Herzog
離子阱質譜的概念和原理
離子阱質譜（ITMS）是利用高電場使質譜進樣端的毛細管柱流出的液滴帶電，在氮氣氣流的作用下，液滴溶劑蒸發，表面積縮小，表面電荷密度不斷增加，直至產生的庫侖力與液滴表面張力達到雷利極限，液滴爆裂為帶電的子液滴，這一過程不斷重復使最終的液滴非常細小呈噴霧狀，這時液滴表面的電場非常強大，使分析物離子化并以
四極桿質譜和離子阱質譜原理對比
不論是四極桿質譜，還是離子阱質譜，其分析原理是相似的，其差別在于具體的分離過程。在離子化的過程中，待測的物質被一定能量的電子束撞擊，解離成離子，并碎裂成一系列能反映其物質性質信息的碎片離子。接下來，這些碎片離子被離子阱或四極桿分離并檢測，按照質荷比m/z的大小繪制成一張可以體現物質定性信息的質譜圖，
SIMS(secondary－ion－mass－spectroscopy)二次離子質譜圖文
1.儀器介紹二次離子質譜（SIMS）是一種用于通過用聚焦的一次離子束濺射樣品表面并收集和分析噴射的二次離子來分析固體表面和薄膜的組成的技術。SIMS是最靈敏的表面分析技術，元素檢測限為百萬分之幾到十億分之一。Schematic of a typical dynamic SIMS instrument
硅中氧、碳的二次離子質譜(SIMS)分析
硅中氧、碳的二次離子質譜（SIMS）分析何友琴馬農農王東雪（電子材料研究所??天津?300192）摘?要?本文采用相對靈敏度因子法，對硅中氧、碳含量的SIMS定量分析方法進行研究。通過對樣品進行預濺射的方法，氧、碳的的檢測限分別可達到6.0e16atoms/cm3、2.0e16atoms/cm3。關
扇形磁場二次離子質譜儀簡介
扇形磁場二次離子質譜儀器通常使用靜電和扇形磁場分析器來進行濺射二次離子的速度和質量分析。扇形磁場使離子束偏轉，較輕的離子會比較重的離子偏轉更多，而較重的離子則具有更大動量。因此，不同質量的離子會分離成不同的光束。靜電場也應用于二次光束中，以消除色差。由于這些儀器具有更高的工作電流和持續光束，
電感耦合等離子質譜工作原理
質譜分析法主要是通過對樣品的離子的質荷比的分析而實現對樣品進行定性和定量的一種方法。因此，質譜儀都必須有電離裝置把樣品電離為離子，有質量分析裝置把不同質荷比的離子分開,經檢測器檢測之后可以得到樣品的質譜圖，由于有機樣品,無機樣品和同位素樣品等具有不同形態、性質和不同的分析要求,所以，所用的電離裝置、
電感耦合等離子質譜工作原理
質譜分析法主要是通過對樣品的離子的質荷比的分析而實現對樣品進行定性和定量的一種方法。因此，質譜儀都必須有電離裝置把樣品電離為離子，有質量分析裝置把不同質荷比的離子分開,經檢測器檢測之后可以得到樣品的質譜圖，由于有機樣品,無機樣品和同位素樣品等具有不同形態、性質和不同的分析要求,所以，所用的電離裝置、