上海微系統所在300mmSOI晶圓制造技術方面實現突破
近日，上海微系統所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300 mm 射頻（RF）SOI晶圓。團隊基于集成電路材料全國重點實驗室300 mm SOI研發平臺，依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術難題，實現了國內300mm SOI制造技術從無到有的重大突破。 為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底，團隊自主開發了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質模型，并首次揭示了晶體感應電流對硅熔體內對流和傳熱傳質的影響機制以及結晶界面附近氧雜質的輸運機制，相關成果分別發表在晶體學領域的頂級期刊《Crystal growth & design》（23, 4480–4490, 2023）、《CrystEngComm》（25, 3493–3500, 2023, 封面文章）上。基于此模擬結果指......閱讀全文
上海微系統所在300－mm－SOI晶圓制造技術方面實現突破
近日，上海微系統所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術方面取得突破性進展，制備出了國內第一片300 mm 射頻（RF）SOI晶圓。團隊基于集成電路材料全國重點實驗室300 mm SOI研發平臺，依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應力高電阻率多晶硅薄膜沉
硅晶圓展|2024年上海硅晶圓展覽會
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024硅晶圓展上海。展會日期:2024
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
PlasmaQuant?－MS－分析晶圓表面金屬雜質
分析背景簡介 硅片是半導體制造業的基礎材料，硅片表面及少量的金屬污染都可能導致器件功能的失效，所以硅片表面金屬雜質測試是不可或缺的步驟。VPD跟ICPMS 聯用檢測硅片表面金屬雜質是目前最常見的一種手段。目前 VPD也是有成熟的全自動化儀器，它的過程就是利用機械管先將硅片暴露于HF蒸氣部分，以
表面粗糙度和漆膜厚度的關系
? ? ? ? ? ? ? 表面粗糙度和漆膜厚度的關系普通鋼結構，在噴砂除銹之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的環氧富鋅底漆一道。這邊確實蓋不住基材，然后就給返銹了。問題是：1、我拿干膜測厚儀去測噴砂除銹后的基材表面，有個大概40多微米，請問這個厚度是什么厚度？（氧化皮還是？測厚儀的測量
【解決方案】不可思議的晶圓厚度測量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林費迪南德布勞恩研究所生產的半導體激光和高頻放大器晶圓必須達到一個極度精密的層厚度。潔凈室工人使用WERTH多傳感器坐標測量機監督這個過程。該機配有色差傳感器，的無接觸捕捉所需的測量元素。 在柏林的費迪南德
表面粗糙度和干膜涂層厚度的解釋
表面粗糙度和干膜涂層厚度的解釋普通鋼結構，在噴砂除銹之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的環氧富鋅底漆一道。這邊確實蓋不住基材，然后就給返銹了。問題是：1、我拿干膜測厚儀去測噴砂除銹后的基材表面，有個大概40多微米，請問這個厚度是什么厚度？（氧化皮還是？測厚儀的測量原理是測到磁性物質外的厚
復合半導體納米線成功整合在硅晶圓上
據美國物理學家組織網11月9日報道，美國科學家開發出一種新技術，首次成功地將復合半導體納米線整合在硅晶圓上，攻克了用這種半導體制造太陽能電池會遇到的晶格錯位這一關鍵挑戰。他們表示，這些細小的納米線有望帶來優質高效且廉價的太陽能電池和其他電子設備。相關研究發表在《納米快報》雜志上。 III—
為什么晶圓表面需要做金屬元素分析？
硅片加工過程中會帶來各種金屬雜質沾污，進而導致后道器件的失效，輕金屬(Na、Mg、Al、K、Ca等)會導致器件擊穿電壓降低，重金屬(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)會導致器件壽命降低。因此，硅片作為器件的原材料，其表面金屬含量會直接影響器件的合格率。特定的污染問題可導致半導體器件不同的缺陷
晶圓切割設備——晶圓切割機的原理？
芯片切割機是非常精密之設備，其主軸轉速約在30,000至 60,000rpm之間，由于晶粒與晶粒之間距很小而且晶粒又相當脆弱，因此精度要求相當高，且必須使用鉆石刀刃來進行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分開。由于系采用磨削的方式進行切割，會產生很多的小粉屑，因此 在切割過程中必須不斷地用
－晶圓制造及封裝展|2024上海國際硅晶圓及IC封裝載板展覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
表面粗糙度（錨紋深度）與油漆漆膜厚度的關系
表面粗糙度（錨紋深度）與油漆漆膜厚度的關系?案例：普通鋼結構，在噴砂除銹之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的環氧富鋅底漆一道。這邊確實蓋不住基材，然后就給返銹了。問題是：1、用干膜測厚儀去測噴砂除銹后的基材表面，有個大概40多微米，請問這個厚度是什么厚度？（氧化皮還是？測厚儀的測量原理是
2024硅晶圓及IC封裝載板展上海。展會日期:2024
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
新款晶圓問世|硅基化合物光電集成技術大突破
據中國光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓在九峰山實驗室下線。此項成果使用8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，單片集成光電收發功能，為目前全球硅基化合物光電集成最先進技術。近年來，由于5G通信、大數據、人工智能等行業的強力驅動，光子集成技術得到極大關注。公開資料顯示，光子集成的概念類可
晶圓搬送機的晶圓卡匣裝置的制作方法
?? 半導體晶圓由于需經過各種不同流程的處理且需配合工藝設備，因此會被搬運到不同的工作站。為了方便晶圓的搬運且避免受到外力碰撞，會將多個晶圓收納于晶圓暫存卡匣中。 一般來說，晶圓暫存卡匣內設置有逐層排列的多個插槽可水平容置多個晶圓，且其一側面具有一開口可供晶圓的載出及載入。再者，于開口處亦設置有可
半導體展會|2024上海硅晶圓展覽會「上海半導體展」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
2024第21屆北京國際硅晶圓與加工設備展覽會
2024年第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC CHINA）時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）作為中國半導體行業協會主辦的唯一展覽會，自 2003 年起已連
英特爾已能夠生產用于量子計算芯片的全硅晶圓
去年，英特爾向量子計算的商業化邁出了一小步，拿出了17個量子位超導芯片，隨后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一個具有49個量子位的測試芯片。與此前在英特爾的量產努力不同，這批最新的晶圓專注于自旋量子位而非超導量子位。這種二次技術仍然落后于超導量子力度，但可能更容易擴
2024北京硅晶圓博覽會「參展咨詢」「9月57日」
2024年第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC CHINA）時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）作為中國半導體行業協會主辦的唯一展覽會，自 2003 年起已連
2024北京硅晶圓展|2024第21屆北京半導體展覽會
2024第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC China）時 間：2024 年 9 月 5 一 7 日地 點：中國·北京 · 北人亦創國際會展中心參展咨詢：021-5416 3212大會負責人：李經理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已連續成功舉辦二十屆，是我國半
除銹硅磷晶罐
? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ★除銹硅磷晶罐安裝步驟及要求★??? 1．首先應檢查設備外觀是否有損壞，如檢查無異常，再進行安裝。本設備要求安裝在室內。?? 2．設備應安裝在制作好的混凝土基礎平臺上，用設備無須與混凝土基礎平臺固定。?? 3．設備安裝形式應為旁通式安裝，以滿足在不停機狀態下
晶圓測試與探針臺
晶圓測試是在半導體器件制造過程中執行的一個步驟。在此步驟中，在將晶圓送至芯片準備之前執行，晶圓上存在的所有單個集成電路都通過對其應用特殊測試模式來測試功能缺陷。晶圓測試由稱為晶圓探針器的測試設備執行。晶圓測試過程可以通過多種方式進行引用：晶圓最終測試 (WFT)、電子芯片分類 (EDS) 和電路
晶圓如何通過testkey監控
晶圓特性測試系統由測試儀(tester)與探針臺(prober)共同組成，探針臺上具有包括多個探針的探針卡，在測試之前的第一步是將探針卡上的探針扎到零點testkey對應的焊墊(pad)上，扎針動作由探針臺主導；第一步扎針完成之后，需要在探針臺側進行人工確認扎針對應的零點testkey位置和針跡效果
晶圓清洗設備的前景
預計未來幾年，全球晶圓清潔設備市場將以可觀的復合年增長率增長。諸如MEMS，PCB，存儲設備，IC和半導體晶圓之類的組件是任何電子設備的基本構建塊。電子設備的性能主要取決于單獨組件的性能。此外，由于這些組件相對較小，雜質會極大地影響其可靠性和性能。微電子清洗在任何電子設備的有效工作中都起著至關重
晶圓切割設備的目的
晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之后再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產生碰撞，而有利于搬運過程。此
2024中國(上海)國際硅晶圓展覽會(時間/地點/展覽館)
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
SGOI、SODI新結構材料及其相關技術研究
隨著芯片制造業遵循摩爾定律向大尺寸晶圓450mm、光刻線寬nm級、高精度、高效率、低成本發展，集成電路也逐步從微電子時代發展到微納米電子時代，現有的體硅材料和工藝正接近它們的物理極限，遇到了嚴峻的挑戰。應變硅技術、SOI（Silicon-on-Insulator）技術和高K柵介質材料是三項在硅材料與
晶圓切割設備的切割方法
目前，硬脆材料切割技術主要有外圓切割、內圓切割和線銘切割。外圓切割組然操作簡便，但據片剛性差，切割過程中鋸片易跑偏.導致被切割工們的平行度差:而內圓切割只能進行直線切割.無法進行曲面切割.線鋸切割技術具有切縫窄、效率高、切片質量好、可進行曲線切別等優點成為口前廣泛采用的切割技術。 內圓切割時晶
VCSEL晶圓探針臺招標項目
標訊類別： 國內招標招標編號：資金來源： 其他招標人：開標時間：招標代理： VCSEL晶圓探針臺招標項目的潛在投標人應在網上報名獲取招標文件，并于2023年07月10日 14時00分（北京時間）前在線遞交投標文件。逾期提交的投標文件恕不接受。本項目電子投標文件最大容量為100MB，超過此容量的文件
關于粗糙度和干膜厚度
? ? ? ? ? ? ? 表面粗糙度和漆膜厚度的關系普通鋼結構，在噴砂除銹之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的環氧富鋅底漆一道。這邊確實蓋不住基材，然后就給返銹了。問題是：1、我拿干膜測厚儀去測噴砂除銹后的基材表面，有個大概40多微米，請問這個厚度是什么厚度？（氧化皮還是？測厚儀的測量