研究發現超帶隙透明導體
透明導體因兼具導電性與透明性，廣泛應用于觸控屏、太陽能電池、發光二極管、電致變色及透明顯示等光電器件，成為現代信息與能源技術中不可或缺的材料。目前，主流透明導體來源于摻雜如半導體或絕緣體等原本透明的帶隙材料，摻雜過程以犧牲部分透明性來實現導電性。因此，導電性與透光性之間相互制衡。為突破這一局限，此前有研究提出無需摻雜的本征透明導體概念，即通過特殊的金屬能帶結構來實現理想透明。但目前，其尚未在實際材料中被發現。近日，中國科學院物理研究所研究員陸凌團隊在一類有機電荷轉移鹽中首次實驗發現了本征透明金屬，并將新的透明波段起名為“超帶隙”。金屬中的超帶隙是指介于帶內吸收和帶間吸收之間的無吸收波段，其原理和傳統絕緣體帶隙中沒有光學吸收的原理一致。實現超帶隙的特殊電子結構需要金屬帶足夠孤立，且金屬帶帶寬小于費米面與其他占據態和非占據態之間的能量差，使帶內躍遷引起的吸收可被金屬帶帶寬截斷。同時，此帶內吸收的截斷能量小于帶間吸收的起始能量，進而打......閱讀全文
研究發現超帶隙透明導體
透明導體因兼具導電性與透明性，廣泛應用于觸控屏、太陽能電池、發光二極管、電致變色及透明顯示等光電器件，成為現代信息與能源技術中不可或缺的材料。目前，主流透明導體來源于摻雜如半導體或絕緣體等原本透明的帶隙材料，摻雜過程以犧牲部分透明性來實現導電性。因此，導電性與透光性之間相互制衡。為突破這一局限，此前
科學家發現超帶隙透明導體
透明導體兼具導電性與透明性，廣泛應用于觸控屏、太陽能電池、發光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現代信息與能源技術中不可或缺的核心材料。目前主流的透明導體來源于摻雜本來透明的帶隙材料（半導體或絕緣體），摻雜過程以犧牲部分透明性為代價來實現導電性，導電與透光之間相互制衡。為突破這一局限，一種無
搭建異質結會調低帶隙嗎
異質結特點: 1)界面處出現能帶的突起和凹陷,可以促進或阻擋載流子。 2)界面處存在局域態,起到復合和俘獲中心的作用。 3)兩側材料帶隙寬度不...
搭建異質結會調低帶隙嗎
異質結特點: 1)界面處出現能帶的突起和凹陷,可以促進或阻擋載流子。 2)界面處存在局域態,起到復合和俘獲中心的作用。 3)兩側材料帶隙寬度不...
并行FDTD方法分析光子帶隙微帶結構
1、引言光子帶隙(photonic Bandgap-PBG)結構，又稱為光子晶體(photonic Crystal)，它是一種介質材料在另一種介質材料中周期分布所組成的周期結構。盡管光子帶隙最初應用于光學領域，然而由于其禁帶特性，近年來在微波和毫米波領域也獲得極大關注。在光子帶隙結構中,電磁
4.16電子伏特！新型硅帶隙創世界紀錄
美國東北大學科學家主導的國際科研團隊發現了一種新形式的高密度硅，并開發出一種新型可擴展的無催化劑蝕刻技術，能將這種硅制成直徑為2—5納米的超窄硅納米線。這一成果發表于最新一期《自然·通訊》雜志，有望給半導體行業帶來革命性變化，還有望應用于量子計算等領域。 十年前，東北大學研究人員在實驗中發現了
打開石墨烯帶隙，開啟石墨烯芯片制造領域大門
天津大學納米顆粒與納米系統國際研究中心的馬雷教授團隊攻克了長期以來阻礙石墨烯電子學發展的關鍵技術難題，在保證石墨烯優良特性的前提下，打開了石墨烯帶隙，成為開啟石墨烯芯片制造領域大門的重要里程碑。該研究成果論文《碳化硅上生長的超高遷移率半導體外延石墨烯》1月3日在線發表于國際期刊《自然》。 據介
新加坡國立大學：可變帶隙的納米多孔石墨烯的表面合成
調制納米多孔石墨烯的帶隙對于很多領域是被需求的，比如作為有機雜化器件中的電荷傳輸層。該領域的關鍵是能夠合成具有可變孔徑和可調帶隙的2D納米多孔石墨烯。這里，表面合成了具有可變帶隙的納米多孔石墨烯。兩種類型的納米多孔石墨烯通過分級C-C耦合合成，并通過低溫掃描隧道顯微鏡和非接觸式原子力顯微鏡進行驗
我國學者以MXene材料成功制備直接帶隙半導體型ScCxOH材料
隨著柔性透明電子技術的興起，二維半導體材料近年來備受關注，特別是直接帶隙特性使得這些二維結構有望應用在光電子學領域。在過去十年里，研究者們已相繼發展出MoS2和磷烯等典型的具有直接帶隙的二維半導體材料。然而，MoS2的帶隙是層數依賴性的，直接帶隙僅能在單層結構中實現，而磷烯在空氣環境中的化學性質
清華團隊等在鈣鈦礦光伏材料的帶隙研究中取得新進展
有機-無機雜化鈣鈦礦是一種新型半導體材料，因其具有優異的光電性能和結構可調性，成為近年來太陽能電池領域的研究熱點。能帶帶隙是決定光伏特性的重要參數，它容易受到溫度和光注入載流子濃度的影響。鈣鈦礦帶隙的溫度效應在以往研究中使用傳統半導體中的晶格熱效應解釋。然而，傳統半導體晶格相對堅硬，鈣鈦礦具有柔
陰離子隙生化檢驗
陰離子隙（AG）是指細胞外液中所測的陽離子總數和陰離子總數之差。 計算公式為：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的電解質含量運算。血清K+濃度較低，且較恒定，對AG影響輕微，故上述公式可簡化為AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常參考值為8～16mol/L，
陰離子隙生化檢驗
陰離子隙（AG）是指細胞外液中所測的陽離子總數和陰離子總數之差。計算公式為：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的電解質含量運算。血清K+濃度較低，且較恒定，對AG影響輕微，故上述公式可簡化為AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常參考值為8～16mol/L，平均
陰離子隙的定義
陰離子間隙可根據血漿中常規可測定的陽離子(Na+)與常規測定的陰離子(Cl-和HCO3-)的差算出，即AG=[Na+]－{[Cl-]+[HCO3-]}。AG的正常值為10--14mmol/l，平均值為12mmol/l。目前多以AG>16mmol/l作為判斷是否有AG增高型代謝性酸中毒的界限。
陰離子隙生化檢驗
陰離子隙（AG）是指細胞外液中所測的陽離子總數和陰離子總數之差。計算公式為：AG=（Na++K+）～（Cl～+HCO3～），一般是利用血清中的電解質含量運算。血清K+濃度較低，且較恒定，對AG影響輕微，故上述公式可簡化為AG=Na+ ～（Cl～+HCO3～）。AG正常參考值為8～16mol/L，平均
什么是放電保護球隙？
放電球隙測試儀是一對直徑相同的球形電極 由高壓試驗變壓器，控制臺，穩壓器，耐水等成套設備組成后，可用于工頻高壓試驗中試驗樣品的高壓測量和保護成套試驗設備包括高壓試驗變壓器，控制臺，穩壓器，以及球隙，耐水和試驗對象型放電球隙式壓力表（臥式），其結構由：活動底座，絕緣支架，銅球，調節軸，緊固螺釘
陰離子隙的正常范圍
????問：采用公式Na-（C1+CO2）的陰離子隙的正常范圍是什么？要采用公式（Na+K）-（C1+CO2）嗎？采用哪一種？??? ? 答：陰離子隙的定義指的是陽離子鈉和陰離子氯及碳酸氫鹽之間的差異，通常用[Na+—（Cl-+HCO3-）]計算。其他血中存在但不包括在陰離子隙計算內的陽離子包括鉀、
重費米子體系中雜化動力學的理論研究與實驗探測獲突破
長期以來，對重費米子物理的理解主要基于平均場方法所提供的靜態雜化圖像。該圖像認為f電子在相干溫度T*之下會在費米面附近與導帶發生雜化，從而形成重電子能帶，并產生直接和間接雜化帶隙，引起f電子的局域－巡游轉變。但是近些年來，有越來越多的實驗證據表明，真正理解重費米子的局域－巡游轉變物理必須超越平均
西安光機所等在非線性物理前沿理論上取得新認知
上:囚禁于深晶格中的穩定（a）和不穩定（b）的物質波帶隙孤子、穩定（c, d）和不穩定（e, f）的帶隙渦旋；下：微擾動力學演化。 論文作者供圖近年來，隨著物理學前沿研究的深入和發展，在量子力學、光學、量子物理包括超冷原子和凝聚態物理中的一些動力學特性都可以用具有分數衍射項的理論模型描述。然而目前所
陰離子隙（AG）的決定水平
參考值 8～16mmol/L????決定水平 臨床意義及措施? 4mmol/L 低于此水平的值均在參考值下限以下，所以各種能引起AG下降的原因均應加以考慮，如在低白蛋白血癥中未測定的陰離子渡度偏低，在M-蛋白血癥中未測定的陽離子濃度增加等。????20mmol/L 高于此水平的值，屬明顯增高，應認真
腔隙性梗死的疾病描述
腔隙性梗死是長期高血壓引起腦深部白質及腦干穿通過動脈病變和閉塞，導致缺血性微梗死，缺血、壞死個液化腦組織由吞噬細胞移走形成腔隙。腔隙性梗死約占腦梗死的20％，由于病變很小，常位于腦相對靜區，許多病例臨床上不能確認；多達3/4的尸檢病例證實，生前無卒中史和檢查無明確神經功能缺損證據。Fisher自
腔隙性梗死的輔助檢查
CT可見內囊基底節區、皮質下白質單個或多數圓形、卵圓形或長方形低密度病灶，邊界欠清晰，無占位效應，增強可出現輕度斑片狀強化；CT檢查最好在發病7日內進行，以除外小量出血。MRI可顯示腦干腔隙病灶，呈T1低信號、T2高信號，MRI腦橫斷面、矢狀位和冠狀位掃描可準確定位病灶。CT和MRI也可能未發現
關于腔隙性梗死的介紹
腔隙性腦梗死是長期高血壓引起腦深部白質及腦干穿通動脈病變和閉塞，導致缺血性微梗死，缺血、壞死和液化腦組織由吞噬細胞移走形成腔隙。梗死灶較小，直徑一般不超過1．5厘米。這種梗死多發生在腦的深部，尤其是基底節區、丘腦和腦橋。 腔隙性腦梗死最常見的原因是高血壓病；其次為糖尿病和高脂血癥。目前報道的腔
怎樣預防腔隙性腦梗塞？
1.預防性治療 對有明確的缺血性卒中危險因素，如高血壓、糖尿病、心房纖顫和頸動脈狹窄等應盡早進行預防性治療。可給予抗血小板藥阿司匹林、噻氯匹定，對腦卒中二級預防有肯定效果，推薦應用；長期用藥要有間斷期，出血傾向者慎用。 2.針對可能的病因積極預防 （1）應將高血壓患者的血壓控制在一個合理水
腔隙性腦梗死如何預防？
控制高血壓：高血壓是導致腔隙性腦梗死的主要危險因素之一，因此需要積極控制血壓。建議定期測量血壓，如果血壓偏高，應及時采取措施進行降壓治療。 控制血脂：高血脂也是導致腔隙性腦梗死的危險因素之一，因此需要控制血脂水平。建議定期檢查血脂，如果血脂偏高，應采取相應的措施進行降脂治療。 戒煙限酒：吸煙
生化檢測項目陰離子隙介紹
陰離子隙介紹： 陰離子隙是指血清中所測定的陽離子總數與陰離子總數之差，它可鑒別不同類型的代謝性酸中毒。通常以(Na+ -C1- —HC03- )表示。這是判斷代謝性酸中毒的重要指標，對許多潛在的致命性疾病的診斷可提供重要線索。陰離子隙正常值： AG=(Na++K+)-(Cl--HCO3-)，一般
寬帶隙半導體材料的特征
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
腔隙性腦梗死的概述
腔隙性腦梗死(lacunarinfarction)發生于腦深穿通動脈（或其他微小動脈）的缺血性微梗死（或軟化灶），經慢性愈合后所形成的不規則腔隙，是老年人的常見病，高發年齡組在60～70歲。男性多于女性，為女性的2～6倍。白天發病者居多，多數無明顯誘因，常見于亞急性和慢性起病，癥狀一般于12h至
寬帶隙半導體材料的特性
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發到導帶。器件的工作溫度可以很高，比如說碳化硅可以工作到600攝氏度；金剛石如果做成半導體，溫度可以更高，器件可用在石油鉆探頭上收集相關需要的信息。它們還在航空、航天等惡劣環境中有重要應用。廣
陰離子隙的臨床意義
臨床上利用血清主要陰、陽離子的測定值即可算出AG值，它對代謝性酸中毒的病因及類型的鑒別診斷有一定的價值。在疾病過程中，因代謝紊亂，酸性產物增加，導致代謝性酸中毒癥狀最為多見。缺氧時乳酸產生過多；患者不能進食或糖尿病時等脂肪代謝紊亂，導致酮體增加；菌血癥、燒傷等組織大量破壞，蛋白質分解，使得含硫產
半導體所硅量子點發光機制研究取得新成果
延續了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術有望接替微電子成為未來信息技術的基石，但硅基光電子集成技術的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術皇冠上的明珠，其研制成功將引領整個硅基光電子集成技術的重大變革。硅光電集成技術處于前沿探索階