愛發科ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希有（010-62784044,13641166426,lxyou@mail.tsinghua.edu.cn）分類標簽：微納加工 集成電路 半導體 刻蝕技術指標：金屬及化合物刻蝕：ICP模式；刻蝕精度：0.35微米知名用戶：王喆垚、任天令、劉澤文、吳華強、梁仁榮、潘立陽、王敬、許軍、鄧寧、錢鶴、伍曉明（微電子所） 尤政、朱榮、阮勇（精儀系）、羅毅（電子系）、姚文清（化學系）技術團隊：吳華強、伍曉明、劉朋、李希有、仲濤功能特色：自動化操作，刻蝕機刻蝕方式：ICP模式；刻蝕精度：0.35微米；主要刻蝕介質：Al、TiN、Ti、H......閱讀全文
NICP刻蝕機共享
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
ICP刻蝕機Cl共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
NICP刻蝕機共享應用
儀器名稱：NICP刻蝕機儀器編號：02011812產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：NICP-I型出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-627
ICP設備(刻蝕機)共享
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
ICP刻蝕機F共享
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
等離子體/化學刻蝕設備——等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力
ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
ICP設備(刻蝕機)共享應用
儀器名稱：ICP設備(刻蝕機)儀器編號：02001849產地：英國生產廠家：STS SURFACE TECN.型號：MESC Multiplex出廠日期：200001購置日期：200203所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層工藝平臺固定電話：固定手機：固定emai
簡介等離子刻蝕機的應用
等離子體處理可應用于所有的基材，甚至復雜的幾何構形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型應用包括： 等離子體清除浮渣 光阻材料剝離 表面處理 各向異性和各向同性失效分析
等離子刻蝕機的原理簡介
感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻
等離子刻蝕機的結構簡介
ICP 設備主要包括預真空室、刻蝕腔、供氣系統和真空系統四部分。 （1）預真空室 預真空室的作用是確保刻蝕腔內維持在設定的真空度，不受外界環境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構、隔離門等組成。 （2）刻蝕腔體 刻蝕腔體是ICP 刻蝕設備的
LAM－干法刻蝕機共享應用
儀器名稱：干法刻蝕機儀器編號：16002654產地：美國生產廠家：LAM型號：LAM4520XL出廠日期：199801購置日期：201602所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,133662739
等離子刻蝕機有哪些缺點？
1、 硅片水平運行，機片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）； 2、下料吸筆易污染硅片（等離子刻蝕去PSG后甩干）； 3、傳動滾軸易變形（PVDF，PP材質且水平放置易變形）； 4、成本高（化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
等離子刻蝕機的操作及判斷
1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。 2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。 3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。 4.如果經過檢驗，任何
等離子刻蝕機的測量與控制方法
由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有： 虛擬測量（Virtual Metrology） 光譜測量（Optical emission spectroscopy） 等離子阻抗監控（Plasma impedance monit
愛發科ICP刻蝕機Cl共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-Cl儀器編號：13015109產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(Cl)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺(暨微納技術實驗室)固定電話：固定手機：固定email：聯系人：李希
愛發科ICP刻蝕機F共享應用
儀器名稱：ICP刻蝕機-F儀器編號：13015108產地：日本生產廠家：愛發科型號：NE-550H(F)出廠日期：201211購置日期：201309所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>刻蝕工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺（暨微納技術實驗室）固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（
等離子刻蝕機的測量與控制方法
由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業界常用的測量方法有： 虛擬測量（Virtual Metrology） 光譜測量（Optical emission spectroscopy） 等離子阻抗監控（Plasma impedance monit
關于等離子刻蝕機裝片的相關介紹
等離子體系統效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。 將夾具平穩放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。 等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下： 熱探針和N型半導體接觸時，傳導電
等離子刻蝕機的光學發射檢測技術介紹
高密度等離子體刻蝕是當今超大規模集成電路制造過程中的關鍵步驟。已經開發出許多終點檢測技術，終點檢測設備就是為實現刻蝕過程的實時監控而設計的。 光學發射 光學發射光譜法（OES）是使用最為廣泛的終點檢測手段。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發性基團所發射波長的光強的變化來實現終
等離子體/化學刻蝕設備的刻蝕分類
刻蝕最簡單最常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。 濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是： 濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕
詳解刻蝕清洗機的結構和工作原理（一）
濕法刻蝕是利用相應的刻蝕液先將晶圓要刻蝕的膜進行分解， 再把其變為可溶性的化合物并去除，那濕法刻蝕清洗機的結構和工作原理是什么？今天就帶大家瞧一瞧。一、刻蝕清洗設備分類濕法刻蝕清洗機按清洗的結構方式可以分為槽式批量清洗和單片清洗機兩種類型。而槽式清洗又可分為半自動清洗和全自動清洗兩種機臺。二、清洗設
詳解刻蝕清洗機的結構和工作原理（二）
三、清洗設備干燥方式通過去離子水清洗后， 需要在最短的時間里把晶圓表面的水分去除， 而且去除后晶圓的外表不要有任何水痕， 否則會降低晶圓的良率。 半導體生產上常采用以下幾種干燥方式：旋轉甩干、熱氮氣烘干、異丙醇慢提拉干燥及 Marangoni干燥。a．旋轉甩干目前對晶圓的清洗以及脫水處理方式
等離子體/化學刻蝕設備中刻蝕的解釋
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是
中科院688萬采購聚焦離子束刻蝕機
一、項目編號：OITC-G240320572（招標文件編號：OITC-G240320572） 二、項目名稱：中國科學院合肥物質科學研究院聚焦離子束刻蝕機采購項目 三、中標（成交）信息 供應商名稱：廣東省中科進出口有限公司 供應商地址：廣東省廣州市越秀區先烈中路100號大院9號樓102房自
北京埃德萬斯離子束刻蝕機共享應用
儀器名稱：離子束刻蝕機儀器編號：07001234產地：中國生產廠家：北京埃德萬斯公司型號：LKJ-ID-150出廠日期：200608購置日期：200701所屬單位：物理系>離子束刻蝕實驗室放置地點：理科樓C-207固定電話：62772764固定手機：13552113513固定email：jiangl
什么是濕法刻蝕
這是傳統的刻蝕方法。把硅片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的方法稱為“濕法”刻蝕。它的優點操作簡便；對設備要求低；易于實現大批量生產；刻蝕的選擇
干法刻蝕與濕法刻蝕主要區別及工藝特點
基本工藝要求 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的