動態二次離子質譜分析（DSIMS）
動態二次離子質譜分析（D-SIMS）1. 飛行時間二次離子質譜技術二次離子質譜技術（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子的質量來測定元素種類，具有極高分辨率和檢出限的表面分析技術。D-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素結構信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層（1nm以內），僅帶出表面的化學信息，具有分析區域小、分析深度淺和檢出限高的特點，廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業和研究方面。2. 動態二次離子質譜分析（D-SIMS）可為客戶解決的產品質量問題（1）當產品表面存在微小的異物，而常規的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析，可選擇D-SIMS進行分析，D-SIMS能分析≥10μm直徑的異物成分。（2）當產品表面膜層太薄，無法使用......閱讀全文
動態二次離子質譜分析（DSIMS）
動態二次離子質譜分析（D-SIMS）1. 飛行時間二次離子質譜技術二次離子質譜技術（Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry，D-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子的質量來測定元素種類，具有極
質譜分析法術語二次離子質譜法
二次離子質譜法（ secondary ion mass spectrometry， SIMS）采用二次離子質譜儀進行質析的方法，該法依賴于所用不同二次離子質譜儀，可劃分為四極桿二次離子質（quasSenary ion nmss spectrometr）、高分辯二次離子質譜儀（ high resolu
SiO－2鈍化膜中鈉離子的二次離子質譜分析
前 言? 對于半導體器件而言，在管芯表面覆蓋鈍化膜的保護措施是非常必要的，鈍化膜是器件的最終的鈍化層和機械保護層，可以起到電極之間的絕緣作用，減弱和穩定半導體材料的多種表面效應，防止管芯受到塵埃、水汽酸氣或金屬顆粒的沾污，一般采用CVD 工藝（化學氣相沉積，Chemical Vapor Dep
SiO2－鈍化膜中鈉離子的二次離子質譜分析
1.1 儀器 法國CAMECA 公司的IMS-4fE/7 型二次離子質譜儀, 配備雙等離子源和銫離子源, 中和電子槍。?1.2 樣品 樣品結構:SiO 采用CVD方法在拋光硅晶片 上生長的二氧化硅薄膜, 厚度在1000 埃至5000 埃之間, 樣品處理: 為避免表面沾污對于測試結果的影響, 用去離子
二次離子質譜概述
二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy），是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。 用一次離
二次離子質譜技術
海洋有機地球化學檢測方法二次離子質譜技術簡述 摘要：海洋有機地球化學是通過研究與還原性碳相關的物質來揭示海洋生態系的 結構、功能與演化的一門科學。由于其中的有機組分通常以痕量、復雜的混合物 形式存在，且是不同年齡、不同來源、不同反應歷史生源物質的集成產物，所以 總體分析困難較大。目前主要是從整體水平
關于二次離子質譜儀操作模式的介紹
SIMS大致可以分為“動態二次離子質譜”（D-SIMS）"和“靜態二次離子質譜“（S-SIMS）兩大類。雖然工作原理上它們并無本質差別，但是兩種模式的應用特點卻有所不同。一次離子束流密度大小是劃分兩種模式的主要標準。一般在S-SIMS模式下，一次離子束流被控制在1013離子/cm2，常用飛行時間
二次離子質譜的特點
1.獲得樣品最表層1-3個原子信息深度信息； 2.可以檢測同位素，用于同位素分析 ； 3.達到ppm~ ppb級的探測極限。 4. 可以并行探測所有元素和化合物，離子傳輸率可以達到100%。 5.采用高效的電子中和槍，可以精確的分析絕緣材料。 6. 具有很小的信息深度（小于1nm）；可
二次離子質譜的原理
??? 二次離子質譜是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子，通過質量分析器收集、分析這些二次離子，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。它利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加速并聚焦成細小的高能離子束轟擊樣品表
二次離子質譜的結構
??? 近年來，二次離子質譜這一前沿的分析技術越來越多地被用在了科學研究當中，應用范圍較為廣泛。然而，依然有很多小白對二次離子質譜的基本結構不太了解。那么二次離子質譜的組成結構是怎樣的呢？都有哪些功能和特點？今天小編就來簡單盤點一下。? 二次離子質譜主要由三部分組成：一次離子發射系統、質譜儀、二次
二次離子質譜儀的質譜原理
Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一種基于質譜的表面分析技術，二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象（基本原理如圖1所示）。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面，在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程，包括一次離子散射及表面原子、原子
質譜分析法術語負離子
負離子（negative ions）帶負電荷的離子，產生于質譜儀的負離子源。
質譜分析法術語穩定離子
穩定離子（stable ion）指在離子源生成的，離開離子源后直至到達檢測器不發生裂解的離子。通常指壽命比10-5s長的離子。
飛行時間二次離子質譜共享
儀器名稱：飛行時間二次離子質譜儀器編號：13027664產地：德國生產廠家：ION-TOF GmbH型號：TOF.SIMS 5出廠日期：2012.5購置日期：201312所屬單位：化學系>分析中心>北京電子能譜中心放置地點：理科樓D-104固定電話：固定手機：固定email：聯系人：郭沖（010-6
面向動態表界面分析的原位液相二次離子質譜新技術研究獲進展
表界面化學是能源、環境和生命等前沿科學領域的核心。在分子水平上表征表界面化學，對闡明上述領域關鍵科學問題的化學本質具有重要意義。然而，表界面層極薄、其物種復雜性及高度動態性，對化學測量學提出了挑戰。飛行時間二次離子質譜（ToF-SIMS）是迅速發展的先進表界面分析技術。而作為基于高真空環境的分析技術
質譜分析法術語負離子電離
負離子電離（negative ion ionization，NII）對于具有電子親和力比較大的元素捕獲一個電子可生成負離子，這種離子化的方法稱為負離子電離法。
質譜分析法術語離子化
離子化（ionization）或稱為電離。指中性原子或分子失去電子或捕獲電子生成離子的過程。在質譜分析中，指氣相、液相、固相樣品的原子、分子變為氣態的正離子或負離子的過程。
質譜分析法術語多電荷離子
多電荷離子（multiple charged ion）帶有兩個以上電荷的離子，通常多電荷離子具有非整數質荷比，出現在質譜圖的分數質量上，形成“本底”。
二次離子質譜可完成癌細胞分析
哥德堡大學（University of Gothenburg）進一步開發了二次離子質譜的應用，以幫助研究人員更好地檢測身體中的有害細胞。“該方法可以變得重要，例如對于乳腺癌組織的未來分析。”博士生Tina Angerer說。該方法可以被描述為首先通過在其處噴射氣體射彈從一片組織釋放分子和原子，然后使
二次離子質譜技術的分析和應用
二次離子質譜是一種具有超高分辨率和靈敏度的固體表面分析技術。它可以分析氫元素到鈾元素在內的所有元素和同位素，還可以得到固體表面官能團和分子結構等信息。SIMS可以分為靜態SIMS（SSIMS）和動態SIMS（DSIMS）兩種類型，通過不同掃描類型，得到二次離子質譜圖、化學成像、動態深度剖析曲線等
3D成像——二次離子質譜技術
質譜成像技術能將基質輔助激光解吸電離質譜的離子掃描與圖像重建技術結合，直接分析生物組織切片，產生任意質荷比(m/z)化合物的二維或三維分布圖。其中三維成像圖是由獲得的質譜數據，通過質譜數據分析處理軟件自動標峰，并生成該切片的全部峰值列表文件，然后成像軟件讀取峰值列表文件，給出每個質荷比在全部質譜圖中
二次離子質譜的原理組成和結構
二次離子質譜Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)1 引言:離子探針分析儀，即離子探針（Ion Probe Analyzer，IPA），又稱二次離子質譜（Secondary Ion Mass Spectrum，SIMS），是利用電子光學方法把惰性氣體等初級離子加
學者綜述二次離子質譜技術發展
近日，應《自然-綜述-方法導論》（Nature Reviews Methods Primers）的邀請，香港科技大學（廣州）教授翁祿濤與合作者共同撰寫了題為《二次離子質譜》（Secondary ion mass spectrometry）的綜述論文，同期還配發了導論總覽（PrimeView）對該論文
二次離子質譜可完成癌細胞分析
分析測試百科網訊 哥德堡大學（University of Gothenburg）進一步開發了二次離子質譜的應用，以幫助研究人員更好地檢測身體中的有害細胞。 “該方法可以變得重要，例如對于乳腺癌組織的未來分析。”博士生Tina Angerer說。該方法可以被描述為首先通過在其處噴射氣體射彈從一片
質譜分析法術語離子計數測量
離子計數測量（ counting measurement of ion）質譜分析時測量離子的一種方法，該法將接收的離子通過離子甄別器排除干擾離子后，經脈沖放大器放大，用脈沖計數器測量，計數率通常在10?6cp5。目前閃爍探測器和通道式電子倍增器都可用離子計數測量。
質譜分析技術的離子源的介紹
在早期的質譜研究中，涉及的樣品一般為無機物，檢測目的包括測定原子量、 同位素豐度、確定元素組成等。針對這些要求，需要采用的離子源主要包括電感耦合等離子體（ICP）、微波等離子體炬（MPT）和其他微波誘導等離子體（MIP）、電弧、火花、輝光放電等，幾乎能夠用于原子發射光譜的激發源都可用。 質譜的
質譜分析法術語不穩定離子
不穩定離子（unstable ion）在離子源內生成，但在離開離子源之前就分解的離子。通常指壽命小于10-6s的離子。由于這種離子的裂解發生在離子源內，因此稱為源內碎裂（in--source fragmentation）。
質譜分析法術語等離子體
等離子體（plasma）亦稱等離子區。一般指電離的氣體，主要由離子、電子和未經電離的中性粒子所組成。因正負電荷密度幾乎相等，故從整體上看呈現電中性。例如，火焰和電弧中的高溫部分，太陽和氣體恒星的表面等。在等離子體中電磁力起主要作用，能引起和普通氣體大不相同的內部運動形態，如電子和離子的集體振蕩，因此
質譜分析法術語離子模擬測量
離子模擬測量（ analog measurement of ion）是測量離子的一種方法，該法將接收的離子通過高穩定、高歐姆值的電阻放大，轉換為電壓信號，再經過電子學放大器放大后，借助模數轉換器轉換為數字信號進行測量。當離子濃度較高時，采用法拉第杯接收器測量，模擬值可達1012cps（ count
質譜分析，稱量離子質量的高端定量檢測
質譜分析法，指的是將樣品分子經過離子化后，利用其不同質荷比（m/z）的離子在靜電場或磁場中受到的作用力不同而改變運動方向，使其彼此在空間上分離，最后通過收集和檢測這些離子得到質譜圖譜，實現分析目的一種分析方法。質譜圖，橫軸表示單位電荷質量（m/z）；縱軸表示離子流強度，通常以相對強度（相對豐度）來表