簡述二次離子質譜儀的應用領域

簡述二次離子質譜儀的應用領域

　　當前二次離子質譜領域發展迅速，在半導體制造中元素摻雜，薄膜的組分測量和其他無機材料，宇宙中同位素比例，地球中微量元素等領域具有非常重要應用。　　通過二次離子質譜的深度剖析來分析材料薄膜結構是一種獨特的分析手段，尤其是對于分析不同薄層中的材料，以及相鄰兩層之間材料的相互影響 分析亞微米尺度下的特征

二次離子質譜儀簡介

　　二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ，SIMS）是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團吸收能量而從表面發生濺射產生二次粒子,這些帶電粒子經過質量分析器后就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。[1]　　在傳統的SIMS實驗中，高能一次

二次離子質譜儀（SIMS）

二次離子質譜儀（SIMS）分析方法介紹美信檢測 失效分析實驗室 1.簡介?二次離子質譜儀（secondary ion mass spectroscopy，簡稱SIMS），是利用質譜法分析初級 離子入射靶面后，濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。二次離子質譜儀分 析對象包括金屬及合金、半導

二次離子質譜儀組成介紹

　　SIMS主要包括一次離子源、進樣室、質量分析器、真空系統、數據處理系統等部分，對于絕緣樣品還配有電荷補償的電子中和槍，同時根據分析目的不同，還配有不同的離子源，常見的有氣體放電源（如O、Ar、Xe）、表面電離源（如Cs）、熱隙源（如C60）和液態金屬及團簇源（如Bin、Aun、Ga）等。　　這是

二次離子質譜儀原理簡介

二次離子質譜儀原理簡介二次離子質譜儀（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）又稱離子探針（Ion Microprobe），是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子幵迚行質譜測定的儀器，可 以對固體或薄膜樣品迚行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜

二次離子質譜儀的發展歷史

　　自從Dunnoyer 第一次發現離子在真空中沿直線運動已經有100年的歷史，自此以后，分子束的應用在二十世紀持續到二十一世紀，它為重大技術進步和基礎研究奠定了基礎，分子束用于濺射源是其中應用之一。　　盡管在是十九世紀中葉濺射的現象已經觀察到，直到十九世紀四十年代，隨著真空技術的進步，Herzog

扇形磁場二次離子質譜儀簡介

　　　　扇形磁場二次離子質譜儀器通常使用靜電和扇形磁場分析器來進行濺射二次離子的速度和質量分析。扇形磁場使離子束偏轉，較輕的離子會比較重的離子偏轉更多，而較重的離子則具有更大動量。因此，不同質量的離子會分離成不同的光束。靜電場也應用于二次光束中，以消除色差。由于這些儀器具有更高的工作電流和持續光束，

離子阱質譜儀簡述

　　利用離子阱作為分析器的質譜儀稱為離子阱質譜儀。使用最多的是由高頻率電場進行離子封閉的保羅阱（Paul trap）。由一個雙曲面截面的環形電極和上下一對端電極構成。封閉在真空池內的離子，通過高頻電壓掃描，將離子按m/z從池中引出進行檢測。離子阱質譜儀是一種低分辨時間串聯質譜儀。可以進行msn的測定

二次離子質譜儀的質譜原理

　　Secondary-ion-mass spectroscope （SIMS）是一種基于質譜的表面分析技術，二次離子質譜原理是基于一次離子與樣品表面互相作用現象（基本原理如圖1所示）。帶有幾千電子伏特能量的一次離子轟擊樣品表面，在轟擊的區域引發一系列物理及化學過程，包括一次離子散射及表面原子、原子

質譜儀離子探針質譜儀產品介紹、特點和應用領域

離子探針是用聚焦的一次離子束作為微探針轟擊樣品表面，測射出原子及分子的二次離子，在磁場中按質荷比（m/e）分開，可獲得材料微區質譜圖譜及離子圖像，再通過分析計算求得元素的定性和定量信息。測試前對不同種類的樣品須作不同制備，離子探針兼有電子探針、火花型質譜儀的特點。可以探測電子探針顯微分析方法檢測極限

關于二次離子質譜儀操作模式的介紹

　　SIMS大致可以分為“動態二次離子質譜”（D-SIMS）"和“靜態二次離子質譜“（S-SIMS）兩大類。雖然工作原理上它們并無本質差別，但是兩種模式的應用特點卻有所不同。一次離子束流密度大小是劃分兩種模式的主要標準。一般在S-SIMS模式下，一次離子束流被控制在1013離子/cm2，常用飛行時間

二次離子質譜儀對分析物的要求

　　在二次離子的常規檢測中，可以用于分析的樣品可以固體，也可以是粉末、纖維、塊狀、片狀、甚至液體（微流控裝置）。如果從導電性考慮，這些樣品可以是導電性好的材料，也可以是絕緣體或者半導體。從化學組成上來分，可以是有機樣品，如高分子材料、生物分子，也可以是無機樣品，如鋼鐵、玻璃、礦石等。

線性離子阱質譜儀的主要應用領域

1、應對代謝物鑒定和確證，線性離子阱質譜儀可自動查找到所有可能的代謝物。　　2、基于離子/離子化學的電子轉移解離，線性離子阱質譜儀是實現此技術的儀器。ETD與CID互為補充，提高蛋白序列覆蓋率；保護不穩定PTM翻譯后修飾基團，簡化數據分析；單次進樣自動啟動CID和ETD。　　3、母離子智能選擇：自動

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術 本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞 二

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術

幾種新型號二次離子質譜儀采用的新技術?本文簡要敘述法國CAMECA公司,德國IONTOFGmbH 公司新型的NanoSIMS50 IMSWFIMSSCUITRATOFSIMSIV 型二次離子質譜的特色,著重介紹這些儀器改進過的和新增加的 儀器部件的原理、性能及功用。關鍵詞?二次離子質譜?飛行時間二次

關于飛行時間二次離子質譜儀的介紹

　　飛行時間二次離子質譜儀(ToF-SIMS)。在此類質譜儀中，二次離子被提取到無場漂移管，二次離子沿既定飛行路徑到達離子檢測器。由于給定離子的速度與其質量成反比，因此它的飛行時間會相應不同，較重的離子到達檢測器的時間會比較輕的離子更晚。此類質譜儀可同時檢測所有給定極性的二次離子，并具有極佳質量分辨

飛行時間二次離子質譜儀（TOFSIMS）

飛行時間二次離子質譜儀（TOF-SIMS）介紹美信檢測失效分析實驗室?【摘要】飛行時間二次離子質譜儀（Time FlightSecondary Ion Mass Spectrometry， TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微 量的二次離子，根據二次

關于四級桿二次離子質譜儀器的介紹

　　　　由于這些儀器的質量分辨率相對有限（單位質量分辨率不能解決每超過一個峰值的質量），因此這些儀器越來越稀有。四級桿利用一個共振電場，其中只有特定質量的離子才能穩定通過震蕩場。與扇形磁場儀器相類似的是，這些儀器需要在高一次離子電流下操作，且通常被認為是“動態二次離子質譜”儀器（比如用于濺射深度剖析

高級玩具：二次離子質譜儀器核心技術研發

二次離子質譜儀器核心技術項目通過驗收

　　2011年6月21日，由中國地質科學院地質研究所北京離子探針中心牽頭，聯合了中國計量科學研究院、復旦大學、中國科學院大連化學物理研究所和北京普析通用儀器有限責任公司等單位共同承擔的國家科技支撐計劃課題“二次離子質譜儀器核心技術及關鍵部件研究與開發”(編號：2006BAK03A21)在京

簡述二次元測量儀的應用領域

　　幾乎所有的制造型企業都離不開二次元測量儀。　　二次元測量儀廣泛應用于機械、電子、模具、注塑、五金、橡膠、低壓電器，磁性材料、精密五金、精密沖壓、接插件、連接器、端子、手機、家電、計算機（電腦）、液晶電視(LCD)、印刷電路板（線路板、PCB）、汽車、醫療器械、鐘表、儀器儀表、螺絲、彈簧、齒輪、凸

TOFSIMS（飛行時間二次離子質譜儀）的工作原理

1. 利用聚焦的一次離子束在樣品上進行穩定的轟擊，一次離子可能受到樣品表面的背散射（概率很小），也可能穿透固體樣品表面的一些原子層深入到一定深度，在穿透過程中發生一系列彈性和非彈性碰撞。一次離子將其部分能量傳遞給晶格原子，這些原子中有一部分向表面運動，并把能量傳遞給表面離子使之發射，這種過程成為粒子

一單位880萬采購飛行時間二次離子質譜儀

　　某單位飛行時間二次離子質譜儀采購項目公開招標公告　　項目概況 某單位飛行時間二次離子質譜儀采購項目 招標項目的潛在投標人應在http://www.oitccas.com/獲取招標文件，并于2023年10月30日13點30分（北京時間）前遞交投標文件。　　一、項目基本情況　　項目編號：OITC-G

PlasmaMS－300電感耦合等離子體質譜儀應用領域

環境分析測試領域PlasmaMS?300針對地表水、廢水、土壤、沉積物、大氣（廢氣）中顆粒物、固體廢棄物等環境樣品中重金屬元素分析測試及檢測的需求，建立了整體應用方案與分析方法。?地礦樣品測試PlasmaMS?300靈敏度高、精度好、抗干擾能力強，是地質樣品多元素分析zui強有力的技術。滿足了礦物三

二次離子質譜儀器核心技術項目在京順利通過驗收

?? 由中國地質科學院地質研究所北京離子探針中心牽頭，聯合了中國計量科學研究院、復旦大學、中國科學院大連化學物理研究所和北京普析通用儀器有限責任公司等單位共同承擔的國家科技支撐計劃課題“二次離子質譜儀器核心技術及關鍵部件研究與開發”（編號：2006BAK03A21）在京順利通過驗收。課題驗收會由“十

花落誰家？復旦大學二次離子質譜儀設備中標結果公告

2024年1月9日，中國政府采購網發布了復旦大學二次離子質譜儀設備國際中標公告，最終 Quantum Design Hong Kong Limited 以416.7萬的成交額提供該設備。　　一、項目編號：1069-234Z20234470（HW2023111401）（招標文件編號：1069-234Z

1500萬！遼寧材料實驗室計劃采購二次離子質譜儀

東方國際招標有限責任公司招標公告（招標編號：0729-244OIT270108)　　東方國際招標有限責任公司受招標人委托對下列產品及服務進行國際公開競爭性招標，于2024-04-19在中國國際招標網公告。 本次招標采用傳統招標人式，現邀請合格投標人參加投標。　　1、招標條件　　項目概況：二次離子質譜

TOFSIMS（飛行時間二次離子質譜儀）的主要用途

1. 摻雜劑與雜質的深度剖析2. 薄膜的成份及雜質測定 （金屬、電介質、鍺化硅 、III-V族、II-V族）3. 超薄薄膜、淺植入的超高深度辨析率剖析4. 硅材料整體分析，包含B, C, O,以及N5. 工藝工具（離子植入）的高精度分析

生物質譜儀的應用領域

隨后質譜在電離技術和分析技術上的發展和完善，使之很快應用于地質、空間研究、環境化學、有機化學、制藥等多個領域。然而，即使在等離子體解吸（plasma desorption,PD）和快原子轟擊（fast atom bombardment,FAB）兩項軟電離質譜技術出現以后，質譜分析的相對分子質量也只是

“二次離子質譜儀器核心技術研發”項目子課題通過驗收

　　2月21至22日，由國家質檢總局科技司委托組成的測試專家組，對中科院大連化學物理研究所承擔的“十一五”國家科技支撐計劃項目課題“二次離子質譜儀器核心技術及關鍵部件研究與開發”中的子課題“角反射飛行時間質量分析器”進行了現場考核與測試。驗收專家組組長由北